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1
기판;
상기 기판 위에 형성된 천이금속 규소화합물을 이용한 버퍼층;
상기 버퍼층 위에 복수의 3족-5족 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자
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2
제1항에 있어서,
상기 버퍼층은 ReSiO2 또는 MOSi02를 포함하는 반도체 발광소자
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3
제1항에 있어서,
상기 버퍼층은 정방결정(tetragonal crystal) 또는 단사결정(monoclinic crystal)을 포함하는 반도체 발광소자
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4
제1항에 있어서,
상기 화합물 반도체층은 상기 버퍼층 위에 형성된 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 형성된 활성층 및 상기 활성층 위에 형성된 제2도전형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자
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5
제4항에 있어서,
상기 버퍼층과 상기 제1도전형 반도체층 사이에 형성된 언도프드 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자
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6
제4항에 있어서,
상기 제2도전형 반도체층 위에 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체층 및 투명전극층, 제2전극 부재 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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7
기판 위에 천이금속 규소화합물을 이용한 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 위에 복수의 3족-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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8
제7항에 있어서,
상기 버퍼층 형성 단계는, Re 소스 또는 Mo소스와 Si소스를 이용하여 상기 기판 위에 천이금속 규소화합물 박막을 증착하는 단계; 상기 증착된 천이금속 규소화합물 박막을 열 처리하여 단결정의 버퍼층으로 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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9
제8항에 있어서,
상기 천이금속 규소화합물 박막은 비결정질이며 900~1310℃에서의 열 처리되면 단결정으로 변화되는 반도체 발광소자 제조방법
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10
제7항에 있어서,
상기 버퍼층은 ReSiO2 또는 MoSi02를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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11
제7항에 있어서,
상기 화합물 반도체층은 상기 버퍼층 위에 제1도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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12
제11항에 있어서,
상기 버퍼층과 상기 제1도전형 반도체층 사이에 언도프드 반도체층을 형성하고,
상기 제2도전형 반도체층 위에 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체층, 투명전극층 및 제2전극 부재 중 적어도 하나를 형성하는 반도체 발광소자 제조방법
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