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정해진 크기의 전원을 공급받고, 복수의 전극을 구비한 적어도 하나의 제1 전극부; 그리고각 제1 전극부를 중심으로 마주보고 있고, 상기 각 제1 전극부로부터 일정 거리 이격되어 배치되어 있는 복수의 제2 전극부;를 포함하되,상기 제1 전극부는 2개 이상이고, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부는 교대로 배치되어 있고, 상기 제2 전극부의 개수가 상기 제1 전극부의 개수보다 1개 더 많은 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제1항에서,상기 제1 전극부와 상기 복수의 제2 전극부는 공정실의 세로 방향으로 배치되어 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제2항에서,상기 하나의 제1 전극부와 마주하는 상기 복수의 제2 전극부의 각 면에 기판이 배치되는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제1항에서,상기 일정 거리는 10㎜ 내지 50㎜인 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제1항에서,상기 전원은 0 내지 180˚의 위상차를 갖는 제1 전원 및 제2 전원을 포함하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제5항에서,상기 제1 전원과 상기 제2 전원은 상기 제1 전극부의 복수의 전극의 일단에 교대로 인가되는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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7
제6항에서,상기 제1 전원 및 상기 제2 전원에 기초하여 상기 제1 전극부의 각 전극에 공급되는 전력의 크기는 3kW 내지 10kW인 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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8
제6항에서,상기 제1 전원 또는 상기 제2 전원이 인가되지 않은 상기 제1 전극부의 복수의 전극의 타단은 플로팅(floating)되어 있거나 접지되어 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제1항에서,상기 제2 전극부는 히터부를 구비한 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제1항에서,상기 제1 전극부의 각 전극은 공정 가스가 통과하는 복수의 홀을 구비하고 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제10항에서,상기 제1 전극부의 각 전극은 냉각제가 통과하는 홀을 더 구비하고 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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12
제1항에서,상기 제1 전극부의 각 전극은 원통 형상 또는 다각 기둥 형상을 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제12항에서,상기 각 전극은 도전 물질로 이루어지고, 상기 각 전극의 표면이 절연 물질로 코팅된 구조를 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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14
제13항에서,상기 도전 물질은 산화 처리된(anodized) 알루미늄, SUS(steel special use stainless) 및 금속 물질 중 적어도 하나로 이루어진 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제13항에서,상기 절연 물질은 SiO2, Al2O3, ZiO2, 수정 및 테프론(teflon) 중 적어도 하나로 이루어진 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제1항에서,상기 각 제1 전극부와 마주하는 상기 복수의 제2 전극부의 각 면에 기판이 배치되는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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제1항에서,상기 복수의 제2 전극부는 접지되어 있는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
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