| 1 |
1
적어도 하나의 비아 홀을 구비한 제1 도전성 타입의 기판,상기 기판에 형성되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부,상기 에미터부 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제1 전극,상기 기판을 중심으로 상기 제1 전극의 반대편에 위치하고, 상기 비아 홀을 통해 상기 제1 전극과 연결되어 있는 적어도 하나의 버스 바, 그리고상기 버스 바와 이격되고, 상기 기판과 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 전극을 포함하고,상기 비아 홀에 복수의 요철이 형성되어 있고,상기 제1 전극 및 상기 버스 바는 동일한 물질로 이루어지고,상기 비아 홀에 형성된 상기 요철의 높이가 상기 기판에 형성된 상기 요철의 높이보다 높고,상기 기판에 형성된 요철의 높이는 5㎛ 내지 10㎛이고, 상기 비아 홀에 형성된 요철의 높이는 10㎛ 내지 50㎛인태양 전지
|
| 2 |
2
제1항에서,상기 기판의 적어도 한 면에 복수의 요철이 형성되어 있는 태양 전지
|
| 3 |
3
제2항에서,상기 비아 홀에 형성된 요철의 높이는 상기 기판에 형성된 요철의 높이와 다른 태양 전지
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에서,상기 기판의 수광면에 형성된 상기 비아 홀의 직경은 상기 기판의 후면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경보다 작은 태양 전지
|
| 7 |
7
제1항에서,상기 비아 홀의 직경은 상기 기판의 수광면에서 후면부로 갈수록 넓어지는 태양 전지
|
| 8 |
8
적어도 하나의 비아 홀을 구비한 제1 도전성 타입의 기판,상기 기판에 형성되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부,상기 에미터부 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제1 전극,상기 기판을 중심으로 상기 제1 전극의 반대편에 위치하고, 상기 비아 홀을 통해 상기 제1 전극과 연결되어 있는 적어도 하나의 버스 바, 그리고상기 버스 바와 이격되고, 상기 기판과 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 전극을 포함하고,빛이 입사되는 상기 기판의 전면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경은 상기 전면부와 대향하는 상기 기판의 후면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경과 서로 다르고,상기 제1 전극 및 상기 버스 바는 동일한 물질로 이루어지고,상기 기판에 형성된 요철의 높이는 5㎛ 내지 10㎛이고, 상기 비아 홀에 형성된 요철의 높이는 10㎛ 내지 50㎛이고,상기 비아 홀의 최장폭과 최단폭의 비율은 1: 0
|
| 9 |
9
제8항에서,상기 기판의 전면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경이 상기 기판의 후면부에 형성된 상기 비아 홀의 직경보다 작은 태양 전지
|
| 10 |
10
제9항에서,상기 비아 홀의 직경 크기는 상기 후면부에서 상기 전면부쪽으로 갈수록 줄어드는 태양 전지
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제1항 또는 제8항에서,상기 기판의 전면부에 위치한 에미터부 위에 형성되어 있는 반사 방지막을 더 포함하는 태양 전지
|
| 13 |
13
제1항 또는 제8항에서,상기 제2 전극과 상기 기판 사이에 위치하고, 상기 기판보다 더 높은 불순물 농도를 가지며 제1 도전성 타입을 갖는 후면 전계부를 더 포함하는 태양 전지
|
| 14 |
14
제1항 또는 제8항에서,상기 기판은 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 태양 전지
|
| 15 |
15
제8항에서,상기 비아 홀은 복수의 요철을 구비한 태양 전지
|
| 16 |
16
제1 도전성 타입의 기판에 적어도 하나의 비아 홀을 형성하는 단계,상기 비아 홀의 표면을 텍스처링하여 상기 비아 홀의 표면에 복수의 요철을 형성하는 단계,상기 기판의 전체면에 에미터부를 형성하는 단계, 그리고상기 에미터부에 연결되는 전면 전극, 상기 비아 홀을 통해 상기 전면 전극에 연결되는 버스 바, 그리고 상기 버스 바와 이격되어 있고 상기 기판에 연결되는 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 복수의 요철 형성 단계는 식각액에 초음파 진동을 주입하여 상기 비아 홀이 형성되어 있지 않은 상기 기판 표면 및 상기 비아 홀 내부의 기판 표면에서 행해지고,상기 복수의 요철 형성 단계는 상기 비아 홀의 표면에 상기 요철을 형성할 때, 상기 비아 홀의 손상 부분을 함께 제거하고,상기 전면 전극 및 상기 버스 바는 동일한 물질로 이루어지고,상기 기판에 형성된 요철의 높이는 5㎛ 내지 10㎛이고, 상기 비아 홀에 형성된 요철의 높이는 10㎛ 내지 50㎛인 태양 전지의 제조 방법
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
제16항에서,상기 복수의 요철 형성 단계는 상기 비아 홀의 표면에 상기 요철을 형성할 때, 상기 기판의 표면에도 복수의 요철을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
제16항에서,상기 기판의 수광부에 형성되는 상기 비아 홀의 직경과 상기 수광부에 대향하는 상기 기판의 후면부에서 형성되는 상기 비아 홀의 직경은 서로 다른 태양 전지의 제조 방법
|
| 21 |
21
제16항에서,상기 전면 전극, 상기 버스 바 및 상기 후면 전극 형성 단계는,상기 비아 홀과 상기 기판의 후면부에 위치한 상기 비아 홀 주변의 에미터부 위에 제1 도전 물질을 포함한 제1 페이스트를 도포하는 단계,상기 기판의 전면부에 상기 비아 홀을 통해 드러나 상기 제1 페이스트 및 상기 기판의 전면부에 위치한 상기 비아홀 주변의 기판 위에 제2 도전 물질을 포함한 제2 페이스트를 도포하는 단계, 상기 기판의 후면부에 상기 제1 페이스트와 이격되게 제3 도전 물질을 포함한 제3 페이스트를 도포하는 단계, 그리고상기 제1 내지 제3 페이스트가 도포된 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 페이스트를 상기 버스 바로 형성하고, 상기 제2 페이스트를 상기 전면 전극으로 형성하며, 상기 제3 페이스트를 상기 후면 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 22 |
22
제16항에서,상기 비아 홀 형성 단계는 레이저 드릴링에 의해 형성되고, 레이저가 입사되는 상기 기판의 입사면에 형성되는 상기 비아 홀의 직경은 상기 입사면과 대향하는 상기 기판의 후면부에 형성되는 상기 비아 홀의 직경보다 크게 형성되는 태양 전지의 제조 방법
|
| 23 |
23
제16항에서,상기 기판의 측면부에 형성된 에미터부 일부 및 상기 후면 전극과 상기 버스 바 사이의 상기 기판의 후면부에 형성된 에미터부 일부를 제거하여 상기 기판의 측면부 및 상기 기판의 후면부에 복수의 노출구를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
