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무극성 사파이어 기판과; 상기 무극성 사파이어 기판 상부에 형성되며, 상기 무극성 사파이어 기판이 노출된 스트라이프 관통홀이 형성된 절연막과; 상기 스트라이프 관통홀에 노출된 상기 무극성 사파이어 기판에서 성장된 질화물 반도체로 이루어지고, 무극성 또는 반극성 경사면을 갖는 질화물 반도체의 성장 구조물과; 상기 무극성 또는 반극성 경사면에 성장된 질화물 반도체 발광 구조물을 포함하여 구성된 질화물 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 무극성 경사면은,성장된 질화물 반도체의 a-평면이고, 상기 반극성 경사면은,성장된 질화물 반도체의 r-평면인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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청구항 2에 있어서, 상기 스트라이프 관통홀에 노출된 상기 무극성 사파이어 기판의 상부면은 m-평면(1-100)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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청구항 2에 있어서, 상기 스트라이프 관통홀은 a-방향(11-20)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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5
청구항 2에 있어서, 상기 질화물 반도체의 성장 구조물은, 상기 무극성 사파이어 기판과 평행한 (11-22)면이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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6
청구항 1 내지 5 중 한 항에 있어서, 상기 질화물 반도체 발광 구조물은,LED(Light emitting diode) 구조물 또는 LD(Laser diode) 구조물인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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7
청구항 5에 있어서, 상기 질화물 반도체 발광 구조물은,n-반도체층, 활성층 및 p-반도체층을 포함하는 LED 또는 n-접촉층, n-클래드층, n-광가이드층, 활성층, p-전자턱층, p-광가이드층, p-클래드층과 p-접촉층으로 이루어진 LD이고, 상기 LED의 n-반도체층 또는 LD의 n-접촉층은,성장 a-평면으로 이루어진 무극성 경사면 및 (11-22)면에 형성되거나, 또는 상기 r-평면으로 이루어진 비극성 경사면 및 (1-100)면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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8
청구항 2에 있어서, 상기 발광 구조물의 벽개면은,상기 무극성 사파이어 기판과 수직하게 형성되어 있거나, 또는 상기 a-평면으로 이루어진 무극성 경사면 또는 r-평면으로 이루어진 비극성 경사면과 수직하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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9
무극성 사파이어 기판 상부에 상기 무극성 사파이어 기판이 노출된 스트라이프 관통홀이 형성된 절연막을 형성하는 단계와;상기 스트라이프 관통홀에 노출된 상기 무극성 사파이어 기판에서 질화물 반도체를 성장시켜, 무극성 또는 반극성 경사면을 갖는 질화물 반도체의 성장 구조물을 형성하는 단계와;상기 무극성 또는 반극성 경사면에 질화물 반도체 발광 구조물을 성장시키는 단계를 포함하여 구성된 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법
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10
청구항 9에 있어서, 상기 무극성 경사면은,성장되는 질화물 반도체의 a-평면이고, 상기 반극성 경사면은, 성장되는 질화물 반도체의 r-평면인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법
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11
청구항 10에 있어서, 상기 a-평면으로 이루어진 무극성 경사면을 갖는 질화갈륨 성장 구조물은 제 1 성장 온도에서 성장되고,상기 r-평면으로 이루어진 비극성 경사면을 갖는 질화갈륨 성장 구조물은 제 1 성장 온도보다 높은 제 2 성장 온도에서 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 제 1 성장 온도는, 900℃ ~ 1100℃인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법
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