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상부에 계단 구조를 갖는 질화물 반도체 기판과; 상기 질화물 반도체 기판의 계단 구조에 형성된 발광 구조물을 포함하고,상기 계단 구조는,적어도 둘 이상의 계단층과,상기 계단층 사이에 존재하는 계단측벽을 포함하며,상기 발광 구조물은,상기 계단층에는 두껍게 형성되고, 상기 계단측벽에는 상기 계단층에 형성된 발광 구조물의 두께보다 얇게 형성되는 발광 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 발광 구조물은,제 1 극성을 갖는 제 1 반도체층, 활성층과 상기 제 1 극성과 반대의 제 2 극성을 갖는 제 2 반도체층으로 이루어진 LED용 발광 구조물인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 발광 구조물은,n-접촉층, n-클래드층, n-광가이드층, 활성층, p-전자턱층, p-광가이드층, p-클래드층과 p-접촉층으로 이루어진 LD용 발광 구조물인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 발광 구조물은,활성층을 포함하고 있고,상기 활성층은 상기 계단층에는 두껍게 형성되어 있고, 상기 계단측벽에는 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 계단 구조는,복수개의 계단층들과,상기 계단층 사이에 각각 존재하는 복수개의 계단측벽들으로 구성되며,복수개의 계단층들 각각의 폭 또는 선택적인 하나의 폭이 다르거나 또는 복수개의 계단층들의 폭이 동일한 것을 특징으로 하는 발광 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 계단 구조는,복수개의 계단층들과,상기 계단층 사이에 각각 존재하는 복수개의 계단측벽들으로 구성되며,복수개의 계단측벽들 각각의 폭 또는 선택적인 하나의 폭이 다르거나 또는 복수개의 계단측벽들의 폭이 동일한 것을 특징으로 하는 발광 소자
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질화물 반도체 기판 상부에 마스크층을 형성하는 단계와;상기 마스크층으로 마스킹하여, 상기 질화물 반도체 기판 상부 일부를 제거하여, 상기 질화물 반도체 기판 상부에 계단층들과, 상기 계단층들 사이에 존재하는 계단측벽으로 이루어진 계단 구조를 형성하는 단계와;상기 질화물 반도체 기판 상부의 계단 구조에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함하고,상기 발광 구조물은,상기 계단층들에는 두껍게 형성되고, 상기 계단측벽에는 상기 계단층들에 형성된 발광 구조물의 두께보다 얇게 형성되는 발광 소자의 제조 방법
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질화물 반도체 기판 상부에 제 1 마스크층을 형성하는 단계와;상기 제 1 마스크층으로 마스킹하여, 상기 질화물 반도체 기판 상부 일부를 제거하여, 상기 질화물 반도체 기판 상부에 두개의 계단층과, 상기 두개의 계단층 사이에 존재하는 계단측벽으로 이루어진 계단 구조를 형성하는 단계와;상기 제 1 마스크층 상부에 제 1 마스크층보다 작은 제 2 마스크층을 형성하는 단계와;상기 제 2 마스크층으로 마스킹하여, 상기 질화물 반도체 기판 상부 일부를 제거하여, 상기 질화물 반도체 기판 상부에 세개의 계단층과, 상기 세개의 계단층 사이에 존재하는 계단측벽으로 이루어진 계단 구조를 형성하는 단계와;상기 제 1과 2 마스크층을 제거하는 단계와;상기 질화물 반도체 기판 상부의 계단 구조에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 발광 소자의 제조 방법
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질화물 반도체 기판 상부에 제 1 마스크층을 형성하는 단계와;상기 제 1 마스크층으로 마스킹하여, 상기 질화물 반도체 기판 상부 일부를 제거하여, 1차 계단 구조를 형성하는 단계와;상기 제 1 마스크층 상부 및 상기 1차 계단 구조의 하측 계단층의 일부에 제 2 마스크층을 형성하는 단계와;상기 제 2 마스크층으로 마스킹하여, 상기 질화물 반도체 기판 상부 일부를 제거하여, 상기 질화물 반도체 기판 상부에 1차 계단 구조를 포함하는 2차 계단 구조를 형성하는 단계와;상기 제 1과 2 마스크층을 제거하는 단계와;상기 질화물 반도체 기판 상부의 계단 구조에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함하고,상기 2차 계단 구조의 상측 계단층은,상기 1차 계단 구조의 하측 계단층에 형성되는 발광 소자의 제조 방법
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