맞춤기술찾기

이전대상기술

단결정 성장장치용 석영 도가니

  • 기술번호 : KST2015056748
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 쵸크랄스키(Cz) 공정에 사용되는 단결정 성장장치용 석영 도가니에 관한 것으로서, 3~10㎜ 두께의 버블 프리 영역(Bubble Free Region)을 갖는 투명한 내부층; 및 상기 내부층을 둘러싸는 불투명한 외부층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치용 석영 도가니를 개시한다. 쵸크랄스키법, 실리콘 융액, 석영 도가니, 마이크로 버블, 버블 프리 영역, 크리스토발라이트
Int. CL C03B 20/00 (2006.01) C30B 15/10 (2006.01)
CPC C30B 15/12(2013.01) C30B 15/12(2013.01) C30B 15/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090025716 (2009.03.26)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-1089909-0000 (2011.11.29)
공개번호/일자 10-2010-0107582 (2010.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20111205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.26)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 부산광역시 북구
2 송도원 대한민국 경북 구미시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0181666-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0063354-48
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2011-5005193-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0127227-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0336863-83
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0336864-28
8 등록결정서
Decision to grant
2011.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0676703-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
쵸크랄스키(Cz) 공정에 사용되는 단결정 성장장치용 석영 도가니에 있어서, 3~10㎜ 두께의 버블 프리 영역(Bubble Free Region)을 갖는 투명한 내부층; 및 상기 내부층을 둘러싸는 불투명한 외부층;을 포함하고, 멜트 라인(Melt Line)이 위치하는 지점의 버블 프리 영역의 두께가 다른 부분에 비해 상대적으로 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치용 석영 도가니
2 2
제1항에 있어서, 상기 버블 프리 영역의 두께가 도가니 두께의 50% 이내인 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치용 석영 도가니
3 3
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.