기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

태양전지 및 이의 제조방법

기술번호 : KST2015056776
담당센터 :
전화번호 :

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 전극층; 상기 전극층 상에 배치되며, 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 1 광 흡수층; 상기 제 1 광 흡수층 상에 배치되며, 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 2 광 흡수층; 및 상기 제 2 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함한다. 태양전지, CIGS, CIS, CISS, CIGSS, 밴드갭
Int. CL	H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC	H01L 31/0749(2013.01)H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자	1020090027883 (2009.03.31)
출원인	엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자	10-1014039-0000 (2011.02.01)
공개번호/일자	10-2010-0109320 (2010.10.08) 문서열기
공고번호/일자	(20110210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.04.15)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강서구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	조진현	대한민국	서울특별시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서교준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강서구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.03.31	수리 (Accepted)	1-1-2009-0195544-56
2	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2009.04.15	수리 (Accepted)	1-1-2009-0228333-93
3	[출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status	2010.01.08	수리 (Accepted)	1-1-2010-0013831-56
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.02.24	수리 (Accepted)	4-1-2010-5032116-06
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2010.08.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2010.09.14	수리 (Accepted)	9-1-2010-0058776-84
7	등록결정서 Decision to grant	2011.01.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0031784-01
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판; 상기 기판 상에 배치되는 전극층; 상기 전극층 상에 배치되며, 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 1 광 흡수층; 상기 제 1 광 흡수층 상에 배치되며, 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 2 광 흡수층; 및 상기 제 2 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하는 태양전지
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계 화합물이고, 상기 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-셀레나이드계 화합물인 태양전지
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물의 갈륨의 조성은 상기 제 2 광 흡수층에 가까워짐에 따라서 낮아지는 태양전지
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 광 흡수층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 버퍼층을 포함하는 태양전지
5	5 기판; 상기 기판 상에 배치되는 전극층; 상기 전극층 상에 배치되며, 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 1 광 흡수층; 상기 제 1 광 흡수층 상에 배치되며, 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 2 광 흡수층; 상기 제 2 광 흡수층 상에 배치되며, 제 3 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 3 광 흡수층; 및 상기 제 3 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하는 태양전지
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-갈륨-셀레늄-설파이드계 화합물이고, 상기 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-셀레늄-설파이드계 화합물이고, 상기 제 3 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-셀레나이드계 화합물인 태양전지
7	7 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 상기 제 1 광 흡수층의 위치에 따라서 다른 조성을 가지고, 상기 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 상기 제 2 광 흡수층의 위치에 따라서 다른 조성을 가지는 태양전지
8	8 기판 상에 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층 상에 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 제 1 광 흡수층 상에 제 2 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 기판이 배치되는 챔버에 구리를 공급하는 구리 소스, 인듐을 공급하는 인듐 소스, 셀레늄을 공급하는 셀레늄 소스 및 황을 공급하는 황 소스가 사용되고, 상기 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 구리 소스, 상기 인듐 소스 및 상기 셀레늄 소스가 사용되는 태양전지의 제조방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 챔버에 황이 공급되는 속도가 시간이 지남에 따라서 감소하는 태양전지의 제조방법
11	11 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 기판이 배치되는 챔버에 구리를 공급하는 구리 소스, 인듐을 공급하는 인듐 소스, 갈륨을 공급하는 갈륨 소스 및 셀레늄을 공급하는 셀레늄 소스가 사용되고, 상기 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 구리 소스, 상기 인듐 소스 및 상기 셀레늄 소스가 사용되는 태양전지의 제조방법
12	12 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 광 흡수층 상에 제 3 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 3 광 흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
13	13 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 기판이 배치되는 챔버에 구리를 공급하는 구리 소스, 인듐을 공급하는 인듐 소스, 갈륨을 공급하는 갈륨 소스, 셀레늄을 공급하는 셀레늄 소스 및 황을 공급하는 황 소스가 사용되고, 상기 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 구리 소스, 상기 인듐 소스, 상기 셀레늄 소스 및 상기 황 소스가 사용되고, 상기 제 3 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 구리 소스, 상기 인듐 소스 및 상기 셀레늄 소스가 사용되는 태양전지의 제조방법
14	14 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 챔버에 갈륨이 공급되는 속도가 시간이 지남에 따라서 감소하고, 상기 제 2 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 챔버에 황이 공급되는 속도가 시간이 지남에 따라서 감소하는 태양전지의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1014039-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20090331 출원 번호 : 1020090027883 공고 연월일 : 20110210 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110118 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 태양전지 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20200202

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	591,000 원	2011년 02월 01일	납입
제 4 년분	금 액	348,000 원	2014년 01월 06일	납입
제 5 년분	금 액	348,000 원	2015년 01월 07일	납입
제 6 년분	금 액	348,000 원	2016년 01월 07일	납입
제 7 년분	금 액	632,000 원	2017년 01월 05일	납입
제 8 년분	금 액	632,000 원	2018년 01월 05일	납입
제 9 년분	금 액	632,000 원	2019년 01월 14일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.03.31	수리 (Accepted)	1-1-2009-0195544-56
2	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2009.04.15	수리 (Accepted)	1-1-2009-0228333-93
3	[출원인변경]권리관계변경신고서	2010.01.08	수리 (Accepted)	1-1-2010-0013831-56
4	출원인정보변경(경정)신고서	2010.02.24	수리 (Accepted)	4-1-2010-5032116-06
5	선행기술조사의뢰서	2010.08.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서	2010.09.14	수리 (Accepted)	9-1-2010-0058776-84
7	등록결정서	2011.01.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0031784-01
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
9	출원인정보변경(경정)신고서	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
10	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01


기술번호	KST2015056776
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	태양전지 및 이의 제조방법
기술개요	태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 전극층; 상기 전극층 상에 배치되며, 제 1 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 1 광 흡수층; 상기 제 1 광 흡수층 상에 배치되며, 제 2 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 제 2 광 흡수층; 및 상기 제 2 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함한다. 태양전지, CIGS, CIS, CISS, CIGSS, 밴드갭
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015046007][LG그룹]	태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지	새창보기
[KST2015047751][LG그룹]	ＩＢＣ형 태양전지의 제조방법 및 ＩＢＣ형 태양전지	새창보기
[KST2015048165][LG그룹]	태양전지 및 그의 제조방법	새창보기
[KST2015031508][LG그룹]	실리콘 박막 태양전지 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015046494][LG그룹]	태양전지의 선택적 에미터 형성방법 및 선택적 에미터형성장치	새창보기
[KST2015046800][LG그룹]	태양전지의 선택적 에미터 형성방법 및 선택적 에미터형성장치	새창보기
[KST2015048453][LG그룹]	태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지	새창보기
[KST2015045715][LG그룹]	태양전지의 제조방법	새창보기
[KST2015046263][LG그룹]	태양전지	새창보기
[KST2015046275][LG그룹]	ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）ｐａｒｔｉｃｌｅ 의 제조방법	새창보기
[KST2015047120][LG그룹]	버퍼층을 포함하는 실리콘 박막형 광기전력 변환소자 및 그제조방법	새창보기
[KST2015044189][LG그룹]	향상된 절연특성을 구비하는 박막형 태양전지	새창보기
[KST2015045540][LG그룹]	고효율 태양전지 및 그것의 제조방법	새창보기
[KST2015048845][LG그룹]	고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양 전지 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015044016][LG그룹]	고효율 실리콘 박막형 태양전지	새창보기
[KST2015046782][LG그룹]	태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지	새창보기
[KST2015047772][LG그룹]	태양전지의 후면반사막 형성방법, 이를 포함하는후면전극부 형성방법 및 태양전지의 제조방법	새창보기
[KST2015044031][LG그룹]	박막형 태양전지 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015045280][LG그룹]	적층형 광기전력 변환장치 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015048282][LG그룹]	태양전지 및 그의 제조방법	새창보기
[KST2015042465][LG그룹]	실리콘 태양전지의 제조방법	새창보기
[KST2015044801][LG그룹]	구리 셀레나이드의 제조방법	새창보기
[KST2015046848][LG그룹]	실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지	새창보기
[KST2015046961][LG그룹]	태양전지의 전면전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지	새창보기
[KST2015043497][LG그룹]	투광성 조절 가능한 박막형 태양전지 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015045976][LG그룹]	태양전지의 제조방법 및 태양전지	새창보기
[KST2015046227][LG그룹]	태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조되는 태양전지	새창보기
[KST2015046406][LG그룹]	태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지	새창보기
[KST2015048163][LG그룹]	태양전지의 선택적 에미터 형성방법 및 태양전지의제조방법	새창보기
[KST2015048584][LG그룹]	벌크형 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.