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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015056881
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴; 상기 기판 상의 상기 후면전극 패턴 사이에 배치된 절연 패턴; 및 상기 후면전극 패턴 및 절연 패턴이 배치된 상기 기판 상에 배치된 광 흡수층을 포함한다. 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴 및 상기 기판 상의 상기 후면전극 패턴 사이에 배치된 절연 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 후면전극 패턴 및 절연 패턴이 배치된 상기 기판 상에 광 흡수층 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.태양전지
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01)
출원번호/일자 1020090027875 (2009.03.31)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1114018-0000 (2012.02.01)
공개번호/일자 10-2010-0109312 (2010.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동근 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 조호건 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0195536-91
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0224486-76
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0013817-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-0064671-85
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0022139-61
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0185807-38
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0185806-93
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0306986-99
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0588280-63
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0588278-71
13 등록결정서
Decision to grant
2011.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0738053-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 서로 이격 배치된 절연 패턴;상기 절연 패턴 사이에 형성된 후면전극 패턴; 및상기 후면전극 패턴 및 절연 패턴 상에 배치된 광 흡수층을 포함하는 태양전지
2 2
제 1항에 있어서,상기 후면전극 패턴과 절연 패턴은 동일한 높이로 형성되거나,상기 후면전극 패턴이 상기 절연 패턴의 높이보다 낮게 형성된 태양전지
3 3
제 1항에 있어서,상기 절연 패턴은 상기 기판과 동일한 물질로 형성된 태양전지
4 4
제 1항에 있어서,상기 절연 패턴은 포토레지스트 또는 절연물질로 형성된 태양전지
5 5
기판 상에 서로 이격 배치되도록 절연 패턴을 형성하는 단계;상기 절연 패턴 사이에 후면전극 패턴을 형성하는 단계;상기 후면전극 패턴 및 절연 패턴 상에 광 흡수층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 기판 상에 후면전극 패턴을 형성하는 단계는,상기 절연 패턴이 형성된 상기 기판 상에 후면전극막을 형성하는 단계; 및상기 절연 패턴이 노출되도록 상기 후면전극막의 일부를 제거하여, 상기 후면전극 패턴 사이에 절연 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,기판 상에 절연 패턴을 형성하는 단계는,기판 상에 포토레지스트를 형성하는 단계; 및포토 리소그라피(photolithography) 공정으로 상기 포토레지스트를 패터닝(patterning)하여, 절연 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
8 8
제 6항에 있어서,기판 상에 절연 패턴을 형성하는 단계는,기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에 스크린 프린팅(Screen printing) 방식, 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 그라비아 프린팅(gravure printing) 중 어느 하나의 공정을 진행하여 절연 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
9 9
제 6항에 있어서,기판 상에 절연 패턴을 형성하는 단계는,기판을 준비하는 단계; 및포토 리소그라피(photolithography) 공정으로 상기 기판을 패터닝(patterning)하여 절연 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,상기 기판을 패터닝할 때, 상기 기판의 일부가 제거됨으로써 상기 절연 패턴이 형성되는 태양전지의 제조방법
10 10
제 5항에 있어서,상기 후면전극 패턴과 절연 패턴은 동일한 높이로 형성되거나,상기 후면전극 패턴이 상기 절연 패턴의 높이보다 낮게 형성된 태양전지의 제조방법
11 11
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12 12
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102449778 CN 중국 FAMILY
2 EP02416377 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02416377 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02743993 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 EP02743993 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
6 JP05597247 JP 일본 FAMILY
7 JP06055787 JP 일본 FAMILY
8 JP24522394 JP 일본 FAMILY
9 JP26112711 JP 일본 FAMILY
10 KR101063641 KR 대한민국 FAMILY
11 US09741884 US 미국 FAMILY
12 US09893221 US 미국 FAMILY
13 US20120031459 US 미국 FAMILY
14 US20150040962 US 미국 FAMILY
15 WO2010114313 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
16 WO2010114313 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102449778 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102449778 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2012522394 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2014112711 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5597247 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP6055787 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.