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태양광 발전장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015056909
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요약 태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제 1 관통홈이 형성되는 전극층; 상기 전극층 상에 배치되며, 상기 제 1 관통홈에 중첩하는 제 2 관통홈이 형성되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 제 2 관통홈에 중첩하는 제 3 관통홈이 형성되는 윈도우층을 포함한다. 태양광 발전장치는 데드 존을 감소시키고, 향상된 발전 효율을 가진다. 태양광 발전장치, CIGS, dead, zone
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01)
출원번호/일자 1020090027877 (2009.03.31)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0999797-0000 (2010.12.02)
공개번호/일자 10-2010-0109314 (2010.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20101208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 지석재 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0195538-82
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0228323-36
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0013817-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058773-47
7 등록결정서
Decision to grant
2010.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0509609-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제 1 관통홈이 형성되는 전극층; 상기 전극층 상에 배치되며, 상기 제 1 관통홈에 중첩하는 제 2 관통홈이 형성되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 상기 제 2 관통홈에 중첩하는 제 3 관통홈이 형성되는 윈도우층을 포함하는 태양광 발전장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 관통홈의 일부가 상기 제 1 관통홈에 중첩하고, 상기 제 3 관통홈의 전체가 상기 제 2 관통홈에 중첩하는 태양광 발전장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 윈도우층으로부터 연장되며, 상기 제 1 관통홈 및 상기 제 2 관통홈 내측에 배치되는 접속부를 포함하는 태양광 발전장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전극층의 저항은 상기 윈도우층의 저항보다 낮은 태양광 발전장치
5 5
기판; 상기 기판 상에 배치되며, 서로 이격되는 제 1 이면전극 및 제 2 이면전극; 상기 제 1 이면전극 상에 배치되는 제 1 광 흡수부; 상기 제 1 광 흡수부 상에 배치되는 제 1 윈도우; 및 상기 제 1 윈도우으로부터 연장되며, 상기 제 2 이면전극의 측면 및 상면에 접촉하는 접속부를 포함하는 태양광 발전장치
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 2 이면전극 상에 배치되며, 상기 제 1 광 흡수부에 이격되는 제 2 광 흡수부; 및 상기 제 2 광 흡수부 상에 배치되며, 상기 제 1 윈도우에 이격되는 제 2 윈도우를 포함하는 태양광 발전장치
7 7
기판 상에 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층의 일부를 제거하여 제 1 관통홈을 형성하는 단계; 상기 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층의 일부를 제거하여, 상기 제 1 관통홈에 중첩하는 제 2 관통홈을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 및 상기 윈도우층의 일부를 제거하여, 상기 제 2 관통홈에 중첩하는 제 3 관통홈을 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 광 흡수층을 형성하는 단계에서, 상기 제 1 관통홈 내측에 반도체 물질이 채워지고, 상기 제 2 관통홈을 형성하는 단계에서, 상기 제 1 관통홈 내측에 채워진 반도체 물질의 일부가 제거되는 태양광 발전장치의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 제 2 관통홈을 형성하는 단계는 상기 광 흡수층의 일부를 제거하는 단계; 및 상기 제 1 관통홈 내측에 채워진 반도체 물질의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 광 흡수층의 일부를 제거하는 단계 및 상기 제 1 관통홈 내측에 채워진 반도체 물질의 일부를 제거하는 단계는 동시에 진행되는 태양광 발전장치의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102449780 CN 중국 FAMILY
2 EP02416376 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP24522393 JP 일본 FAMILY
4 KR101055019 KR 대한민국 FAMILY
5 US20120186634 US 미국 FAMILY
6 US20140041725 US 미국 FAMILY
7 WO2010114294 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2010114294 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102449780 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102449780 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2012522393 JP 일본 DOCDBFAMILY
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