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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015056923
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 전극층; 상기 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 인듐 셀레나이드 또는 인듐 설파이드를 포함하는 제 1 버퍼층; 상기 제 1 버퍼층 상에 배치되며, 징크 셀레나이드 또는 징크 설파이드를 포함하는 제 2 버퍼층; 및 상기 제 2 버퍼층 상에 배치되는 윈도우층을 포함한다. 인듐, 설파이드, 셀레나이드, 징크, 버퍼
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020090027878 (2009.03.31)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0999810-0000 (2010.12.02)
공개번호/일자 10-2010-0109315 (2010.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20101208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤희경 대한민국 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0195539-27
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0228325-27
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0013817-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058774-93
7 등록결정서
Decision to grant
2010.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0509610-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 배치되는 전극층; 상기 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 인듐 셀레나이드 또는 인듐 설파이드를 포함하는 제 1 버퍼층; 상기 제 1 버퍼층 상에 배치되며, 징크 셀레나이드 또는 징크 설파이드를 포함하는 제 2 버퍼층; 및 상기 제 2 버퍼층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하는 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 버퍼층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 고저항 버퍼층을 포함하는 태양전지
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 고저항 버퍼층은 징크 옥사이드를 포함하는 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 버퍼층은 2 eV 내지 2
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 버퍼층 또는 제 2 버퍼층은 알루미늄 도펀트 또는 은 도펀트를 포함하는 태양전지
6 6
기판 상에 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 인듐 셀레나이드 또는 인듐 설파이드를 포함하는 제 1 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 제 1 버퍼층 상에 징크 셀레나이드 또는 징크 설파이드를 포함하는 제 2 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.