맞춤기술찾기

이전대상기술

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015056959
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입 및 수송, 발광 물질 역할 등을 할 수 있으며, 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.화합물, 유기 전자 소자, 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 재료
Int. CL C07D 209/82 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01) C07C 255/50 (2006.01) C07C 25/22 (2006.01)
CPC C07C 25/22(2013.01) C07C 25/22(2013.01) C07C 25/22(2013.01) C07C 25/22(2013.01) C07C 25/22(2013.01) C07C 25/22(2013.01) C07C 25/22(2013.01) C07C 25/22(2013.01) C07C 25/22(2013.01)
출원번호/일자 1020090038001 (2009.04.30)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1317511-0000 (2013.10.04)
공개번호/일자 10-2010-0119077 (2010.11.09) 문서열기
공고번호/일자 (20131015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.28)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권혁준 대한민국 대전광역시 유성구
2 이재철 대한민국 대전광역시 유성구
3 배재순 대한민국 대전광역시 유성구
4 홍성길 대한민국 대전광역시 유성구
5 장혜영 대한민국 대전광역시 서구
6 한혜은 대한민국 대전광역시 서구
7 전상영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0263096-21
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0614816-56
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0317046-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051354-92
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0099333-74
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0325179-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0349733-29
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0349736-66
10 등록결정서
Decision to grant
2013.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0658491-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 4 내지 7 중 어느 하나로 표시되는 화합물:상기 화학식 4 내지 7에서,R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C12의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3~C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5~C20의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기, 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3~C30의 헤테로아릴기고,상기 화학식 4에서 Ar1 및 Ar2는 서로 상이하고, 이중 하나 이상은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기이며,[화학식 2] [화학식 3]상기 화학식 5에서 Ar1 및 Ar6은 서로 상이하고, 이중 하나 이상은 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기이며,상기 화학식 6에서 Ar6이 Ar1 또는 Ar4와 서로 상이하고, 이중 하나 이상은 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기이며,상기 화학식 7에서 Ar5 및 Ar6은 서로 상이하고, 이중 하나 이상은 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기이며,상기 화학식 4 내지 7에서 Ar1 내지 Ar6 중 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되지 않는 나머지는 각각 독립적으로 수소원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C12의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3~C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5~C20의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기 및 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3~C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이며,상기 화학식 2 및 3에서, n, p, 및 m은 0 내지 4의 정수이며, n과 p가 동시에 0은 아니고,R3는 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1~C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3~C20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5~C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6~C20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C5~C20의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기, 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3~C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 실란기, 카르보닐기, 포스포릴기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, 히드록시기, 할로겐기, 아미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 m이 2 이상의 정수인 경우에 상기 2 이상의 R3는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있다
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물에서 상기 Ar6은 상기 화학식 2 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 치환기이며, 상기 Ar4는 치환 또는 비치환된 C1~C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 C3~C50의 헤테로아릴기 및 F 내지 CN으로 치환 또는 비치환된 치환된 C10~C50의 아릴기인 것인, 화합물
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 Ar1, Ar2 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1~C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아릴기, 치환 또는 비치환되고 이종 원자로 O, N 또는 S를 갖는 C3~C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 붕소기 및 치환 또는 비치환된 실란기로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 화합물
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 4 내지 7로 표시되는 화합물은 하기 화학식으로 표시되는 것인, 화합물:
6 6
아릴보론산계 또는 아릴보로네이트계 화합물을 팔라듐(Pd) 촉매하에서 할로겐화 아릴 화합물과 스즈키 커플링 반응시키는 단계를 포함하는, 상기 청구항 1 및 청구항 3 내지 청구항 5 중 어느 한 항의 화합물의 제조 방법
7 7
제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 및 청구항 3 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 화학식 4 내지 7로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전자소자
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 및 정공주입 및 정공수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상의 층을 포함하고, 상기 층 중 하나의 층이 상기 화학식 4 내지 7로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전자소자
9 9
청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화학식 4 내지 7로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전자소자
10 10
청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층이 상기 화학식 4 내지 7로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.