| 1 |
1
발광 다이오드가 다수 개 연결되는 발광 다이오드 그룹;
상기 다수 개의 발광다이오드를 턴온시키거나 턴오프시키도록 바이폴라 정션 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT)를 포함하는 스위칭부;
상기 다수 개의 발광 다이오드에 흐르는 전류를 센싱하는 전류 센싱부; 및
상기 다수 개의 발광 다이오드에 흐르는 전류의 크기를 조절하도록 상기 스위칭부의 바이폴라 정션 트랜지스터의 베이스에 인가되는 전압과 상기 스위칭부의 바이폴라 정션 트랜지스터의 에미터에 인가되는 전압의 차이를 조절하는 전압 차이 조절부와, 상기 전압 차이 조절부에 연결되며 진폭 조절 전압이 인가되는 진폭 조절 전압 인가부를 포함하는 전류 조절부를 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 전압 차이 조절부는 다이오드 를 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 진폭 조절 전압 인가부는 저항을 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
발광 다이오드가 다수 개 연결되는 발광 다이오드 그룹;
상기 다수 개의 발광다이오드를 턴온시키거나 턴오프시키도록 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOS FET)를 포함하는 스위칭부;
상기 다수 개의 발광 다이오드에 흐르는 전류를 센싱하는 전류 센싱부; 및
상기 다수 개의 발광 다이오드에 흐르는 전류의 크기를 조절하도록 상기 스위칭부의 모스 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압과 상기 스위칭부의 모스 트랜지스터의 소스에 인가되는 전압의 차이를 조절하는 전압 차이 조절부와, 상기 전압 차이 조절부에 연결되며 진폭 조절 전압이 인가되는 진폭 조절 전압 인가부를 포함하는 전류 조절부를 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,
상기 전압 차이 조절부는 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,
상기 진폭 조절 전압 인가부는 저항을 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
발광 다이오드가 다수 개 연결되는 발광 다이오드 그룹;
펄스 폭 변조 신호의 제어에 의해서 입력 전압을 전달하도록 바이폴라 정션 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT)를 포함하는 제 1 스위칭부;
상기 제 1 스위칭부에 의해서 전달되는 입력 전압에 의해서 턴온되어 상기 다수 개의 발광다이오드를 턴온시키도록 바이폴라 정션 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT)를 포함하는 제 2 스위칭부;
상기 다수 개의 발광 다이오드에 흐르는 전류를 센싱하는 전류 센싱부; 및
상기 다수 개의 발광 다이오드에 흐르는 전류의 크기를 조절하도록 상기 제 2 스위칭부의 바이폴라 정션 트랜지스터의 베이스에 인가되는 전압과 상기 제 2 스위칭부의 바이폴라 정션 트랜지스터의 에미터에 인가되는 전압의 차이를 조절하는 전압 차이 조절부와, 상기 전압 차이 조절부에 연결되며 진폭 조절 전압이 인가되는 진폭 조절 전압 인가부를 포함하는 전류 조절부를 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,
상기 전압 차이 조절부는 다이오드 를 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,
상기 진폭 조절 전압 인가부는 저항을 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
발광 다이오드가 다수 개 연결되는 발광 다이오드 그룹;
펄스 폭 변조 신호의 제어에 의해서 입력 전압을 전달하도록 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOS FET)를 포함하는 제 1 스위칭부;
상기 제 1 스위칭부에 의해서 전달되는 입력 전압에 의해서 턴온되어 상기 다수 개의 발광다이오드를 턴온시키도록 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOS FET)를 포함하는 제 2 스위칭부;
상기 다수 개의 발광 다이오드에 흐르는 전류를 센싱하는 전류 센싱부; 및
상기 다수 개의 발광 다이오드에 흐르는 전류의 크기를 조절하도록 상기 제 2 스위칭부의 모스 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압과 상기 제 2 스위칭부의 모스 트랜지스터의 소스에 인가되는 전압의 차이를 조절하는 전압 차이 조절부와, 상기 전압 차이 조절부에 연결되며 진폭 조절 전압이 인가되는 진폭 조절 전압 인가부를 포함하는 전류 조절부를 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 19 |
19
제18항에 있어서,
상기 전압 차이 조절부는 다이오드 를 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
| 20 |
20
제18항에 있어서,
상기 진폭 조절 전압 인가부는 저항을 포함하는 발광 다이오드 구동 장치
|
