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지지체 기판;상기 지지체 기판 상에 형성되고, 적어도 하나의 음각이 구비된 폴리머 패턴;상기 폴리머 패턴의 음각 내부에 도포되고, 지질 이중층(Lipid bi-layer) 및 블록 공중합체(Block copolymer) 중 어느 하나의 물질과 혼합된 아쿠아포린 소수포(Vesicle); 및상기 폴리머 패턴 상에서 상기 아쿠아포린 소수포를 덮도록 형성되는 보호층을 포함하고,상기 폴리머 패턴의 높이는, 상기 아쿠아포린 소수포가 도포된 높이 및 보호층의 위치보다 더 높은 것을 특징으로 하는 정수 필터
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제1 항에 있어서,상기 지지체 기판은, 폴리설폰(Polysulfone) 및 테플론(Teflon) 중 어느 하나의 폴리머 계열 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 정수 필터
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제1 항에 있어서,상기 아쿠아포린 소수포는, 아쿠아포린 1 내지 12, 아쿠아포린-Z 및 아쿠아포린-M 중 적어도 어느 하나 계열의 막단백질인 것을 특징으로 하는 정수 필터
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제1 항에 있어서,상기 블록 공중합체는, Poly(ethylene oxide), Poly(ethylene propylene), Poly(2-methyloxazoline), Poly(propylene sulfide), Poly(dimethylsiloxane) 중 적어도 하나의 폴리머 계열인 것을 특징으로 하는 정수 필터
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제1 항에 있어서,상기 보호층은, 친수성 폴리머 계열로 형성하는 것을 특징으로 하는 정수 필터
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지지체 기판을 형성하는 단계;상기 지지체 기판 상에 적어도 하나의 음각이 구비된 폴리머 패턴을 형성하는 단계;지질 이중층(Lipid bi-layer) 또는 블록 공중합체(Block copolymer)(230)를 상기 폴리머 패턴의 표면 이하로 도포하는 단계;상기 지질 이중층 또는 블록 공중합체가 도포된 폴리머 패턴의 음각 내부에 아쿠아포린을 도포하는 단계; 및상기 폴리머 패턴 상에서 상기 아쿠아포린을 덮도록 보호층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 폴리머 패턴의 높이는, 상기 보호층의 위치보다 더 높은 것을 특징으로 하는 정수 필터의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 폴리머 패턴의 음각은 2차원 구조의 홀 형상으로 형성되고, 상기 음각의 주기는 20㎚ 내지 10㎛이며, 상기 홀의 크기는 5 내지 200㎚인 것을 특징으로 하는 정수 필터의 제조 방법
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10
제8 항에 있어서,상기 폴리머 패턴(320)의 음각은 1차원 구조의 그리드 형상으로 형성되고, 상기 음각의 단차는 40㎚ 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 정수 필터의 제조 방법
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적어도 하나의 홀(hole)이 구비된 지지체 기판;상기 지지체 기판의 홀 크기보다 크기가 크고, 상기 지지체 기판의 홀 표면 상에 도포되고, 지질 이중층(Lipid bi-layer) 및 블록 공중합체(Block copolymer) 중 어느 하나의 물질과 혼합된 아쿠아포린(Aquaporin) 소수포(Vesicle); 및상기 아쿠아포린 소수포를 포함한 지지체 기판 상에 형성되고, 상기 아쿠아포린 소수포를 측방향으로 서로 연결하여 형성되는 보호층;을 포함하여 이루어지는 정수 필터
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제11 항에 있어서,상기 지지체 기판의 홀 크기는 10 내지 200㎚로 형성되는 것을 특징으로 하는 정수 필터
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적어도 하나의 홀(hole)이 구비된 지지체 기판을 형성하는 단계;상기 지지체 기판의 홀 크기보다 크기가 크며, 지질 이중층(Lipid bi-layer) 및 블록 공중합체(Block copolymer) 중 어느 하나의 물질과 혼합된 아쿠아포린(Aquaporin) 소수포(Vesicle)를 상기 지지체 기판의 홀 표면 상에 도포하는 단계; 및상기 지지체 기판 상에 상기 아쿠아포린 소수포를 측방향으로 서로 연결하여 형성되는 보호층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 정수 필터의 제조 방법
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제13 항에 있어서,상기 지지체 기판의 홀 크기는 10 내지 200㎚로 형성되는 것을 특징으로 하는 정수 필터의 제조 방법
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