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빛을 반사시키는 미러판;상기 미러판의 주위에 구비되어, 제 1 탄성체를 통해 상기 미러판을 지지하는 김블(gimbal);제 2 탄성체를 통해 상기 김블을 지지하는 지지부;상기 김블 및 미러판 중 적어도 하나에 구비되어 전류가 흐르는 권선;상기 권선 주변에 자기장을 형성하는 자성체; 상기 권선에 흐르는 전류를 제어하여, 상기 미러판이 상기 제 1 탄성체를 축으로 회전하고, 상기 김블이 상기 제 2 탄성체를 축으로 회전하도록 구동시키는 제어부; 및상기 제 1 탄성체 또는 제 2 탄성체 중 적어도 하나에 구비되어 상기 미러판 및 김블의 회전각을 측정하고, 상기 제1탄성체 또는 제2탄성체의 비틀림에 따라 저항값이 변하는 압저항체를 포함하는 센서부;를 포함하고,상기 제1탄성체 또는 제2탄성체는 실리콘으로 형성되고, 상기 압저항체는 상기 실리콘의 결정방향 중 어느 하나와 평행하게 배열되는 스캐닝 마이크로미러
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제 1항에 있어서,상기 실리콘이 n형인 경우, 상기 압저항체는 상기 실리콘의 결정방향 중 (110)에 평행하게 배열되는 스캐닝 마이크로미러
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제 1항에 있어서,상기 실리콘이 p형인 경우, 상기 압저항체는 상기 실리콘의 결정방향 중 (100)에 평행하게 배열되는 스캐닝 마이크로미러
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제 1항에 있어서,상기 센서부는 네 개의 압저항체를 포함하며, 상기 네 개의 압저항체는 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)를 구성하는 스캐닝 마이크로미러
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제 5항에 있어서,상기 센서부는 상기 휘트스톤 브리지의 일 대각선이 상기 제1탄성체 또는 제2탄성체의 중심축과 중첩되도록 구비되는 스캐닝 마이크로미러
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제 6항에 있어서, 상기 제어부는 상기 제1탄성체 또는 제2탄성체의 중심축 상에 위치한 상기 휘트스톤 브리지의 두 노드(node)에 소정의 전압을 인가하고, 나머지 두 노드 사이의 전압을 측정하여 상기 회전각을 측정하는 스캐닝 마이크로미러
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제 1항에 있어서,상기 센서부는 상기 제1탄성체 또는 제2탄성체의 표면 또는 내부에 위치하는 스캐닝 마이크로미러
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제 1항에 있어서,상기 센서부는 상기 제 1 탄성체의 양단 중 상기 김블 쪽 단부에 구비되고, 상기 제 2 탄성체의 양단 중 상기 지지부 쪽 단부에 구비되는 스캐닝 마이크로미러
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빛을 반사시키는 미러판;상기 미러판의 주위에 구비되어, 제 3 탄성체를 통해 상기 미러판을 지지하는 내측 김블;상기 내측 김블의 주위에 구비되어, 제 4 탄성체를 통해 상기 내측 김블을 지지하는 외측 김블;제 5 탄성체를 통해 상기 외측 김블을 지지하는 지지부;상기 내측 김블 및 외측 김블에 구비되어 전류가 흐르는 권선;상기 권선 주변에 자기장을 형성하는 자성체; 및상기 권선에 흐르는 전류를 제어하여, 상기 미러판 및 내측 김블이 상기 제 3 탄성체를 축으로 서로 역위상으로 회전하고, 상기 외측 김블이 상기 제 5 탄성체를 축으로 회전하도록 구동시키는 제어부;를 포함하는 스캐닝 마이크로미러
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제 10항에 있어서, 상기 제 3 탄성체 및 제 4 탄성체는 일직선 상에 위치하고, 상기 제 5 탄성체는 상기 제 3 탄성체 및 제 4 탄성체와 수직 관계인 스캐닝 마이크로미러
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제 10항에 있어서, 상기 제 3 탄성체 및 제 4 탄성체의 탄성계수는 서로 다른 스캐닝 마이크로미러
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제 10항에 있어서,상기 내측 김블은 상기 미러판과 함께 역위상으로 회전하여 상기 미러판의 회전각을 증폭시키는 스캐닝 마이크로미러
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