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저온 공정에서 근접 게터링 능력을 갖는 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015057341
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열처리 웨이퍼에 관한 것으로, 반도체 소자 제조 공정에서 가해지는 열 이력에 의해 BMD(Bulk Micro-Defect)가 되는 점결함을 제어하는 급속 열처리에 이어, 점결함으로부터 산소 석출 핵을 성장시키는 어닐링(annealing) 처리를 수행함으로써, 웨이퍼 전후면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 디누드 존들과, 디누드 존들 사이에 형성된 벌크 영역을 포함하고, 낮은 열 이력에 의해 벌크 영역에 30nm 이상의 크기를 갖는 BMD가 생성되거나, 또는 이미 BMD가 생성된 실리콘 웨이퍼를 제공한다. 본 발명의 웨이퍼는, 갈수록 저온 공정화되고 소자 두께가 감소하는 최근의 반도체 소자의 제조에 필요한 근접 게터링 능력을 가진다. 웨이퍼, 산소 침전물, BMD(Bulk Micro Defect), 급속 열처리(RTP, RTA), 어닐링(annealing), 저온 공정, 근접 게터링
Int. CL H01L 21/322 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020090046214 (2009.05.26)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-1089994-0000 (2011.11.29)
공개번호/일자 10-2010-0127682 (2010.12.06) 문서열기
공고번호/일자 (20111205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020110107706;
심사청구여부/일자 Y (2009.05.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정정규 대한민국 경상북도 구미시
2 이기상 대한민국 경기도 고양시 덕양구
3 박형국 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0317560-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0028273-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2011-5005193-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0070691-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0236258-57
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0236259-03
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0533466-27
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.10.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0039353-61
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0823121-14
11 등록결정서
Decision to grant
2011.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0687363-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
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번호 청구항
1 1
전면, 후면, 테두리 에지부 및 상기 전면과 후면 사이의 영역을 가지는 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼에 대하여 1초~2분간 급속 열처리하여 후속 열 이력에 의해 BMD가 되는 점결함의 밀도와 분포를 제어하는 단계; 및 상기 급속 열처리시의 온도보다 낮은 온도에서 2~8시간 어닐링하여 상기 점결함으로부터 산소 석출 핵을 성장시키는 단계;를 포함하고, 상기 급속 열처리는, 제1온도에서 1~60초간 급속 열처리하는 저온 급속 열처리 단계; 및 상기 제1온도보다 높은 제2온도에서 1~60초간 급속 열처리하는 고온 급속 열처리 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1온도는 1100~1200℃이고, 상기 제2온도는 1200~1300℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 어닐링은, 제3온도에서 1~4시간 어닐링하는 저온 어닐링 단계; 및 상기 제3온도보다 높은 제4온도에서 1~4시간 어닐링하는 고온 어닐링 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제3온도는 700~900℃이고, 상기 제4온도는 900~1100℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
6 6
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 급속 열처리는 질소 함유 기체 또는 불활성 기체 분위기에서 행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
7 7
전면, 후면, 테두리 에지부 및 상기 전면과 후면 사이의 영역을 가지는 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼에 대하여 1초~2분간 급속 열처리하여 후속 열 이력에 의해 BMD가 되는 점결함의 밀도와 분포를 제어하는 단계; 및 상기 급속 열처리시의 온도보다 낮은 온도에서 2~8시간 어닐링하여 상기 점결함으로부터 산소 석출 핵을 성장시키는 단계;를 포함하고, 상기 급속 열처리와 어닐링을 거친 실리콘 웨이퍼에 대하여 800℃에서 2시간 및 1000℃에서 4시간 이내의 범위에서 열처리하여 BMD를 생성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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지정국 정보가 없습니다
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1 KR101383608 KR 대한민국 FAMILY

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