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발광 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015057373
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요약 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자는 몸체; 상기 몸체 상에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극; 상기 몸체 상에 탑재되며, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 전기적으로 연결된 발광 다이오드; 상기 몸체의 저면에 형성된 접지부; 및 상기 몸체를 관통하여 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 어느 하나와 상기 접지부를 연결하도록 형성되며, 상기 발광 다이오드를 정전기 방전으로부터 보호하는 보호비아를 포함한다. 발광 소자
Int. CL H01L 33/48 (2014.01)
CPC H01L 33/486(2013.01) H01L 33/486(2013.01) H01L 33/486(2013.01)
출원번호/일자 1020090041691 (2009.05.13)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1064046-0000 (2011.09.02)
공개번호/일자 10-2010-0122678 (2010.11.23) 문서열기
공고번호/일자 (20110908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.13)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강민수 대한민국 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0286914-58
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0525639-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0023669-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0023670-15
7 등록결정서
Decision to grant
2011.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0411454-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
몸체; 상기 몸체 상에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극; 상기 몸체 상에 탑재되며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결된 발광 다이오드; 상기 몸체의 저면에 형성된 접지부; 및 상기 몸체를 관통하여 상기 제1 전극과 상기 접지부를 연결하는 적어도 하나의 제1 보호비아 및 상기 제2 전극과 상기 접지부를 연결하는 적어도 하나의 제2 보호비아를 구비하는 복수의 보호비아들을 포함하는 발광 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 몸체는 캐비티를 포함하는 발광 소자
3 3
제 2항에 있어서, 상기 몸체의 캐비티 내에 수지물이 형성된 발광 소자
4 4
제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 몸체 상에 렌즈가 형성된 발광 소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 복수의 보호비아들은 상기 발광 다이오드와 수직 방향으로 중첩되지 않도록 배치되는 발광 소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 복수의 보호비아들 각각은 상기 몸체에 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀에 배리스터 페이스트를 충진하여 형성된 발광 소자
7 7
제 6항에 있어서, 상기 배리스터 페이스트는 ZnO, Bi2O3, CoO, MnO2, Sb2O3, Cr2O3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자
8 8
몸체 상에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 몸체 저면에 접지부를 형성하는 단계; 상기 몸체를 관통하여 상기 제1 전극과 상기 접지부를 연결하는 적어도 하나의 제1 비아홀 및 상기 제2 전극과 상기 접지부를 연결하는 적어도 하나의 제2 비아홀을 포함하는 복수의 비아홀들을 형성하는 단계; 상기 복수의 비아홀들에 배리스터 페이스트를 충진하여 복수의 보호비아들을 형성하는 단계; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 몸체 상에 발광 다이오드를 탑재하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 몸체 상에 캐비티를 포함하는 몸체 상부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 발광 다이오드는 상기 캐비티에 의해 노출되는 발광 소자 제조방법
10 10
제 8항에 있어서, 상기 배리스터 페이스트는 ZnO, Bi2O3, CoO, MnO2, Sb2O3, Cr2O3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자 제조방법
11 11
제 8항에 있어서, 상기 복수의 보호비아들은 인쇄 방법에 의해 상기 복수의 비아홀들을 상기 배리스터 페이스트로 충진하여 형성하는 발광 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.