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기판;
상기 기판 상에 형성된 후면전극;
상기 후면전극 상에 형성된 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 형성된 전면전극; 및
상기 후면 전극과 광 흡수층 사이에 형성된 질화물 반도체층;
을 포함하는 태양전지
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2
제1항에 있어서,
상기 질화물 반도체층은 다수 개의 돌기를 포함하는 태양전지
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3
제1항에 있어서,
상기 질화물 반도체층은 GaN, AlN, InN (AlGa)N, (InGa)N, (AlIn)N 및 (AlGaIn)N 중 어느 하나를 포함하는 태양전지
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4
제1항에 있어서,
상기 질화물 반도체층은 p형 불순물이 도핑된 질화막으로 형성된 태양전지
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5
제1항에 있어서,
상기 후면전극과 광 흡수층은 1:1~1
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6
제1항에 있어서,
상기 광 흡수층은 제1 불순물 농도를 가지고, 상기 질화물 반도체층은 제1 불순물 농도보다 높은 제2 불순물 농도를 가지는 태양전지
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7
기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;
상기 후면전극 상에 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
상기 질화물 반도체층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
상기 광 흡수층 상에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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8
제7항에 있어서,
상기 질화물 반도체층은 p형 불순물이 도핑된 질화막으로 형성되는 태양전지의 제조방법
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9
제7항에 있어서,
상기 질화물 반도체층은 다수 개의 돌기를 포함하는 태양전지의 제조방법
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10
제7항에 있어서,
상기 질화물 반도체층은 TMGa, TMIn 및 TMAl를 포함하는 제1 소스 가스 및 NH3를 포함하는 제2 소스 가스를 이용한 MOCVD 공정으로 형성되고,
상기 질화물 반도체층을 형성하는 단계는,
상기 제1 소스 가스가 주입된 챔버에 제1 압력을 인가하여 리퀴드 드롭을 형성하는 제1 공정; 및
상기 제1, 제2 소스가스 및 p형 소스가스를 상기 챔버에 주입하고, 상기 제1 압력보다 높은 제2 압력을 인가하여 상기 리퀴드 드롭을 결정화 시키는 제2 공정을 포함하는 태양전지의 제조방법
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11
제10항에 있어서,
상기 제2 공정에 의하여 상기 리퀴드 드롭을 결정화한 다음,
상기 챔버 내부에 상기 제2 소스가스를 제공하고 상기 챔버의 온도를 상온으로 유지하여 결정화된 상기 리퀴드 드롭을 쿨링하는 제3 공정을 포함하고,
상기 제2 공정을 진행할 때 p형 불순물을 포함하는 제3 소스가스가 공급되는 태양전지의 제조방법
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