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1
기판 상에 형성된 제1전극;
상기 제1전극이 형성된 상기 기판 상에 형성된 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 형성된 제2전극; 및
상기 제2전극 상에 형성된 색 변환층을 포함하는 태양전지
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2
제 1항에 있어서,
상기 색 변환층은 Ag2HgI4, Cu2HgI4, 산화 바나듐(VO2), W-doped VO2 중 어느 하나의 물질을 포함하는 태양전지
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3
제 1항에 있어서,
상기 색 변환층은,
상기 제2전극 상에 형성된 제1EC층(Electrochromic layer);
상기 제1EC층 상에 형성된 전해질(Electrolyte)층;
상기 전해질층 상에 형성된 제2EC층; 및
상기 제2EC층 상에 형성된 제3전극을 포함하는 태양전지
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| 4 |
4
제 3항에 있어서,
상기 제2전극과 제3전극 사이에 전계를 인가하여 상기 색 변환층에 색 변화가 일어나는 것을 포함하는 태양전지
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5
기판 상에 형성된 제1전극;
상기 제1전극이 형성된 상기 기판 상에 형성된 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 형성된 제2전극; 및
상기 제2전극 상에 형성된 광 조절층을 포함하는 태양전지
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| 6 |
6
제 5항에 있어서,
상기 광 조절층은,
상기 제2전극 상에 형성된 제1전도층;
상기 제1전도층 상에 부유입자(suspended particles)를 포함하여 형성된 부유층;
상기 부유층 상에 형성된 제2전도층; 및
상기 제2전도층 상에 형성된 제4전극을 포함하는 태양전지
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| 7 |
7
제 6항에 있어서,
상기 제2전극과 제4전극 사이에 인가되는 전계에 따라 상기 부유입자가 정렬되는 것을 포함하는 태양전지
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| 8 |
8
제 5항에 있어서,
상기 광 조절층은,
상기 제2전극 상에 비등방성(anisotropy) 입자를 포함하여 형성된 액정층; 및
상기 액정층 상에 형성된 제5전극;
을 포함하는 태양전지
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9
제 8항에 있어서,
상기 제2전극과 제5전극 사이에 인가되는 전계에 따라 상기 비등방성 입자가 상기 제2전극의 표면에 대해 수직배향되는 것을 포함하는 태양전지
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10
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극이 형성된 상기 기판 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및
상기 제2전극 상에 색 변환층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 색 변환층은 열(thermal)에 의해 색이 변화될 수 있는 물질로 형성되며, Ag2HgI4, Cu2HgI4, 산화 바나듐(VO2), W-doped VO2 중 어느 하나의 물질로 형성되는 태양전지의 제조방법
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11
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극이 형성된 상기 기판 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및
상기 제2전극 상에 색 변환층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 색 변환층은, 상기 제2전극 상에 제1EC층(Electrochromic layer), 전해질(Electrolyte)층, 제2EC층 및 제3전극이 적층되어 형성된 태양전지의 제조방법
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12
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극이 형성된 상기 기판 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및
상기 제2전극 상에 광 조절층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 광 조절층은 상기 제2전극 상에 제1전도층, 부유입자(suspended particles)를 포함하는 부유층, 제2전도층 및 제4전극이 적층되어 형성된 태양전지의 제조방법
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13
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극이 형성된 상기 기판 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및
상기 제2전극 상에 광 조절층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 광 조절층은, 상기 제2전극 상에 비등방성 입자를 포함하는 액정층, 제5전극이 적층되어 형성되며,
상기 제2전극과 제5전극 사이에 인가되는 전계에 따라 상기 비등방성 입자가 상기 제2전극의 표면에 대해 수직배향되는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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