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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015057644
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성되고 제1 관통홀에 의하여 분리된 다수개의 후면전극; 상기 후면전극 상에 적층된 광 흡수층 및 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 후면전극과 연결되고, 상기 버퍼층 표면과 다른 높이를 가지도록 형성된 컨택 배선; 상기 버퍼층 및 컨택 배선의 표면을 따라 형성되고, 단차를 가지는 전면전극층; 및 상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여 상기 후면전극을 노출시키는 분리패턴을 포함하는 것으로, 상기 후면전극과 상기 전면전극층의 전도성이 향상될 수 있다. 태양전지, 전면전극,
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01)
출원번호/일자 1020090059495 (2009.06.30)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1091359-0000 (2011.12.01)
공개번호/일자 10-2011-0001792 (2011.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20111207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.30)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임진우 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0400772-14
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0423704-03
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0013891-85
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0015356-15
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0132922-07
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0330540-12
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0330541-57
10 등록결정서
Decision to grant
2011.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0657878-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고 제1 관통홀에 의하여 분리된 다수개의 후면전극; 상기 후면전극 상에 적층된 광 흡수층 및 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 후면전극과 연결되고, 상기 버퍼층 표면과 다른 높이를 가지도록 형성된 컨택 배선; 상기 버퍼층 및 컨택 배선의 표면을 따라 형성되고, 단차를 가지는 전면전극층; 및 상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여 상기 후면전극을 노출시키는 분리패턴을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 컨택 배선은 투명전극층인 것을 포함하는 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 컨택 배선 및 전면전극층은 알루미늄 또는 알루미나로 도핑된 산화 아연을 포함하여 형성된 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 컨택 배선은 상기 버퍼층 상면의 높이와 동일하지 않은 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
기판 상에 제1 관통홀에 의하여 분리되도록 다수개의 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면전극 상에 컨택 배선을 형성하는 단계; 상기 컨택 배선의 표면이 노출되도록 상기 후면전극 및 제1 관통홀 상에 광 흡수층 및 버퍼층을 적층하는 단계; 상기 컨택 배선과 연결되도록 상기 컨택 배선 및 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계; 및 상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하여 상기 후면전극을 노출시키는 분리 패턴을 포함하는 태양전지의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 컨택 배선은 상기 버퍼층 상면의 높이와 동일하지 않은 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 컨택 배선을 형성하는 단계는, 상기 후면전극이 선택적으로 노출되도록 제2 관통홀이 형성된 마스크를 상기 기판 상에 형성하는 단계; 상기 제2 관통홀의 내부에 투명전극 물질을 갭필하는 단계; 및 상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 컨택 배선 및 상기 전면전극층은 알루미늄 또는 알루미나로 도핑된 산화 아연을 포함하여 형성되는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.