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1
기판;
상기 기판 상에 배치되며, Ⅰ족 원소로 이루어지는 이면전극층;
상기 이면전극층 상에 배치되며, 상기 Ⅰ족 원소, Ⅲ족 원소 및 Ⅵ족 원소를 포함하는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하는 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 이면전극층에 가까워짐에 따라서, 상기 Ⅰ족 원소의 조성이 높아지는 태양전지
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3
기판;
상기 기판 상에 배치되며, Ⅰ족 원소를 포함하는 이면전극층;
상기 이면전극층 상에 배치되며, 상기 Ⅰ족 원소, Ⅲ족 원소 및 Ⅵ족 원소를 포함하는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하고,
상기 광 흡수층은
상기 이면전극층에 인접하는 제 1 영역; 및
상기 제 1 영역 상에 위치하며, 상기 제 1 영역보다 더 낮은 조성으로 상기 Ⅰ족 원소를 포함하는 제 2 영역을 포함하는 태양전지
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4
기판;
상기 기판 상에 배치되며, Ⅰ족 원소를 포함하는 이면전극층;
상기 이면전극층 상에 배치되며, 상기 Ⅰ족 원소, Ⅲ족 원소 및 Ⅵ족 원소를 포함하는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하고,
상기 광 흡수층은 상기 Ⅰ족 원소의 화합물인 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하며,
상기 광 흡수층 중 상기 이면전극층 및 상기 광 흡수층의 계면에서의 상기 Ⅰ족 원소의 조성이 가장 높은 태양전지
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5
제 1 항에 있어서, 상기 Ⅰ족 원소는 구리를 포함하는 태양전지
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6
기판 상에 Ⅰ족 원소를 포함하는 이면전극층을 형성하는 단계;
상기 이면전극층 상에 예비 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 이면전극층에 포함된 상기 Ⅰ족 원소 및 상기 예비 광 흡수층에 포함된 물질을 반응시켜, 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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7
제 6 항에 있어서, 상기 예비 광 흡수층은 Ⅲ족 원소 또는 Ⅵ족 원소를 포함하는 태양전지의 제조방법
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8
제 6 항에 있어서, 상기 예비 광 흡수층은 Ⅲ족 원소를 포함하며, 상기 광 흡수층은 Ⅵ족 원소 분위기에 형성되는 태양전지의 제조방법
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9
제 6 항에 있어서, 상기 이면전극층을 형성하는 단계는
상기 기판 상에 상기 Ⅰ족 원소를 포함하는 시드층을 형성하는 단계; 및
상기 시드층에 상기 Ⅰ족 원소를 도금하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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10
제 6 항에 있어서, 상기 이면전극층을 형성하는 단계에서,
상기 이면전극층의 두께는 0
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11
제 6 항에 있어서, 상기 예비 광 흡수층을 형성하는 단계는 상기 이면전극층 상에 Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 증착하는 단계를 포함하고,
상기 광 흡수층을 형성하는 단계는 상기 이면전극층 및 상기 예비 광 흡수층을 열처리하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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