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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015057700
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴과, 상기 후면전극 패턴 상에 형성되어 후면전극 패턴의 일부가 노출되도록 콘택패턴 및 제1분리패턴이 동시에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 상에 상기 제1분리패턴과 연결된 제2분리패턴이 형성된 전면전극을 포함하고, 상기 콘택패턴 및 분리패턴의 측벽은 경사진 것을 포함한다. 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴을 형성하는 단계와, 제1 마스크에 의해 상기 후면전극 패턴 상에 측벽 경사를 포함하는 콘택패턴 및 제1분리패턴이 형성된 광 흡수층을 형성하는 단계와, 제2 마스크에 의해 상기 광 흡수층 상에 제1 분리패턴과 연결된 제2분리패턴이 형성된 전면전극을 형성하는 단계를 포함한다. 태양전지
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01) H01L 31/0465(2013.01)
출원번호/일자 1020090059513 (2009.06.30)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1081095-0000 (2011.11.01)
공개번호/일자 10-2011-0001808 (2011.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20111107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.30)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조호건 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0400830-64
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0013893-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0015361-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0126240-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0329810-10
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0329809-63
9 등록결정서
Decision to grant
2011.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0584446-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴; 상기 후면전극 패턴 상에 형성되어 후면전극 패턴의 일부가 노출되도록 콘택패턴 및 제1분리패턴이 동시에 형성된 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 상기 제1분리패턴과 연결된 제2분리패턴이 형성된 전면전극을 포함하고, 상기 콘택패턴 및 분리패턴의 측벽은 경사진 것을 포함하는 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 콘택패턴의 상부의 폭은 상기 전면전극과 접하는 상기 콘택패턴의 하부의 폭보다 넓게 형성되고, 상기 제1분리패턴의 상부의 폭은 상기 제1분리패턴의 하부의 폭보다 넓게 형성된 것을 포함하는 태양전지
3 3
제 1항에 있어서, 상기 콘택패턴 내부에서, 상기 후면전극 패턴의 표면의 연장선과 상기 광 흡수층의 측벽에 의한 연장선이 이루는 각은 91~120°로 형성된 것을 포함하는 태양전지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제1분리패턴 내부에서, 상기 후면전극 패턴의 표면의 연장선과 상기 광 흡수층의 측벽에 의한 연장선이 이루는 각, 즉 상기 후면전극 패턴과 상기 광 흡수층의 측면이 이루는 노출된 각은 91~120°로 형성된 것을 포함하는 태양전지
5 5
기판 상에 서로 이격되어 배치된 복수개의 후면전극 패턴을 형성하는 단계; 제1 마스크에 의해 상기 후면전극 패턴 상에 측벽 경사를 포함하는 콘택패턴 및 제1분리패턴이 형성된 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 제2 마스크에 의해 상기 광 흡수층 상에 제1 분리패턴과 연결된 제2분리패턴이 형성된 전면전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 태양전지의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 후면전극 패턴이 배치된 상기 기판 상에 제1마스크를 배치시킨 후, 상기 제1마스크 상으로 제1증착 공정을 진행하여 형성되며, 상기 광 흡수층의 형성과 동시에 상기 콘택패턴과 제1분리패턴이 형성되는 태양전지의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 제1마스크와 상기 후면전극 패턴 사이의 거리를 조절하여, 상기 광 흡수층의 측벽 경사도를 조절하는 태양전지의 제조방법
8 8
제 5항에 있어서, 상기 전면전극은 상기 광 흡수층 상에 제2마스크를 배치시킨 후, 상기 제2마스크 상으로 제2증착 공정을 진행하여 형성되며, 상기 전면전극이 형성과 동시에 제2분리패턴이 형성되는 태양전지의 제조방법
9 9
제 5항에 있어서, 상기 콘택패턴 및 제1분리패턴의 상부의 폭이 상기 전면전극과 접하는 하부의 폭보다 넓게 형성된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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3 JP24532457 JP 일본 FAMILY
4 KR101081292 KR 대한민국 FAMILY
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6 US20130244373 US 미국 FAMILY
7 WO2011002212 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2011002212 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN102484156 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2012532457 JP 일본 DOCDBFAMILY
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