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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015057704
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요약 본 발명은 태양 전지에 관한 것으로, 상기 태양 전지는 제1 도전성 타입의 제1 불순물을 함유하고 있는 기판, 상기 기판에 형성되고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 제2 불순물을 함유하고 있는 에미터부, 상기 에미터부 위에 위치하고 위치에 따라 서로 다른 밀도를 갖는 반사 방지막, 상기 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 제1 전극, 그리고 상기 기판과 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극을 포함한다. 이때, 기판은 복수의 돌출부를 구비한 텍스처링 표면을 포함한다. 이로 인해, 텍스처링 표면에서의 단차 피복도가 증가하거나 에미터부의 표면 부근에서의 전하의 재결합율이 감소하여, 태양 전지의 동작 효율과 생산 능력이 향상된다.태양전지, 텍스처링면, 반사방지막, 밀도, 증착속도
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020090061906 (2009.07.07)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1303857-0000 (2013.08.29)
공개번호/일자 10-2011-0004213 (2011.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하만효 대한민국 서울특별시 서초구
2 이경수 대한민국 서울특별시 서초구
3 김종환 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0414521-33
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0775541-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0063652-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0762833-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0107635-44
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0107634-09
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0149247-52
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0387524-74
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0387523-28
12 등록결정서
Decision to grant
2013.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0372133-21
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입의 제1 불순물을 함유하고 있는 기판,상기 기판에 형성되고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 제2 불순물을 함유하고 있는 에미터부,상기 에미터부 위에 위치하고, 상기 에미터부에 인접하게 형성되는 제1 부분과 상기 제1 부분 위에 형성되는 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 부분의 밀도가 상기 제2 부분의 밀도보다 낮은 반사 방지막,상기 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 제1 전극, 그리고상기 기판과 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극을 포함하며,상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 동일한 재질로 형성되는태양 전지
2 2
제1항에서,상기 기판은 복수의 돌출부를 구비한 텍스처링 표면을 포함하는 태양 전지
3 3
삭제
4 4
제1항에서,상기 제1 부분은 상기 반사 방지막의 총 두께의 30% 내지 40%에 해당하는 태양 전지
5 5
제1항에서, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막 중 어느 하나의 재질로 이루어진 태양 전지
6 6
제1항에서,상기 에미터부의 두께는 250㎚ 내지 450㎚인 태양 전지
7 7
제6항에서,상기 에미터부의 면저항값은 50Ω/sq
8 8
제1 도전성 타입의 제1 불순물을 함유하는 기판의 면에 복수의 돌출부를 구비한 텍스처링 표면을 형성하는 단계,상기 기판에 제2 도전성 타입의 제2 불순물을 주입하는 에미터부를 형성하는 단계,상기 에미터부 위에 제1 증착 속도로 제1 밀도를 갖는 제1 반사 방지막부를 형성하는 단계,상기 제1 반사 방지막부와 동일한 재질을 상기 제1 증착 속도보다 느린 제2 증착 속도로 상기 제1 반사 방지막부 위에 증착하여 상기 제1 밀도보다 높은 제2 밀도를 갖는 제2 반사 방지막부를 형성하는 단계,상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극과 상기 기판과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제8항에서,상기 제1 반사 방지막부와 상기 제2 반사 방지막부는 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막 중 어느 하나의 재질로 이루어진 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.