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기판 상에 형성된 후면전극층;
상기 후면전극층 상에 적층된 광 흡수층 및 제1 버퍼층;
상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 후면전극층의 일부를 노출시키는 콘택홀;
상기 콘택홀 및 제1 버퍼층의 표면을 따라 형성되고, 상기 제1 버퍼층과 저항값이 다른 제2 버퍼층; 및
상기 콘택홀에 갭필되고, 상기 제2 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서,
상기 전면전극층과 상기 후면전극층은 도핑영역에 의하여 연결된 태양전지
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제2항에 있어서,
상기 도핑영역은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 붕소(B) 중 어느 하나로 형성된 태양전지
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제1항에 있어서,
상기 제2 버퍼층 및 전면전극층은 AZO, GZO 및 BZO 중 어느 하나로 형성되는 태양전지
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기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 제1 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 및 제1 버퍼층을 관통하여 상기 후면전극층을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및
상기 콘택홀을 포함하는 제1 버퍼층 상에 상기 제1 버퍼층과 저항값이 다른 제2 버퍼층과 전면전극층을 인-라인 스퍼터링 공정을 이용하여 연속적으로 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 제2 버퍼층과 상기 전면전극층은 인-라인 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 것을 포함하고,
상기 제2 버퍼층은 Al:ZnO, Ga:ZnO 또는 B:ZnO 중 어느 하나를 타겟으로 하는 제1 공정에 의해 형성되고,
상기 전면전극층은 상기 제2 버퍼층과 동일한 타겟을 사용하는 제2 공정에 의하여 형성되고,
상기 제1 공정의 진행시 O2 가스가 공급되는 태양전지의 제조방법
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7
제5항에 있어서,
상기 전면전극층을 형성할 때 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga) 등의 불순물을 포함하는 아연계 산화물 또는 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성되는 상기 전면전극층의 전도성 불순물이 상기 제2 버퍼층 및 후면전극층으로 주입되어 도핑영역이 형성되는 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 도핑영역은 알루미늄, 갈륨 및 붕소 중 어느 하나인 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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