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기판의 한 면에 제1 식각 가스를 이용하여 제1 크기를 갖는 복수의 돌출부를 구비하는 제1 텍스처링 표면을 형성하는 단계,제2 식각 가스를 이용하여 상기 제1 텍스처링 표면을 식각하여, 상기 복수의 돌출부의 크기를 상기 제1 크기에서 제2 크기로 변화시켜 제2 텍스처링 표면을 형성하는 단계, 그리고제3 식각 가스를 이용하여 상기 제2 텍스처링 표면을 식각하여 상기 제2 텍스처링 표면의 손상 부위를 제거하여 제3 텍스처링 표면을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제1항에서,상기 제1 식각 가스는 플루오린계 가스와 산소 가스의 혼합 가스인 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제1항 또는 제3항에서,상기 제2 식각 가스는 플루오린계 가스, 염소계 가스 및 산소 가스의 혼합 가스인 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제4항에서,상기 제3 식각 가스는 플루오린계 가스인 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제4항에서,제4 식각 가스를 이용하여 상기 제2 텍스처링 표면을 식각하여 상기 제2 텍스처링 표면에 존재하는 잔류물을 제거하는 단계를 더 포함하는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제6항에서,상기 제4 식각 가스는 플루오린계 가스와 염소계 가스의 혼합 가스인 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제1항에서,상기 제1 크기는 300㎚ 내지 800㎚의 지름과 높이를 갖는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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제1항에서,상기 제2 크기는 100㎚ 내지 500㎚의 지름과 높이를 갖는 태양전지용 기판의 텍스처링 방법
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10
제1 도전성 타입의 제1 불순물을 함유하고 있는 기판의 한 면에 제1 식각 가스를 이용하여 제1 크기를 갖는 복수의 돌출부를 구비한 제1 텍스처링 표면을 형성하는 단계,제2 식각 가스를 이용하여 상기 제1 텍스처링 표면을 식각하여, 상기 복수의 돌출부의 크기를 상기 제1 크기에서 제2 크기로 변화시켜 제2 텍스처링 표면을 형성하는 단계, 제3 식각 가스를 이용하여 상기 제2 텍스처링 표면을 식각하여 상기 제2 텍스처링 표면의 손상 부위를 제거하여 제3 텍스처링 표면을 형성하는 단계,상기 제3 텍스처링 표면을 갖는 상기 기판에 제2 도전성 타입의 제2 불순물을 주입하는 에미터부를 형성하는 단계, 그리고상기 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 복수의 제1 전극과 상기 기판과 전기적으로 연결되어 있는 복수의 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제10항에서,상기 제1 식각 가스는 플루오린계 가스와 산소 가스의 혼합 가스인 태양전지의 제조 방법
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제10항 또는 제11항에서,상기 제2 식각 가스는 플루오린계 가스, 염소계 가스 및 산소 가스의 혼합 가스인 태양 전지의 제조 방법
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제12항에서,상기 제3 식각 가스는 플루오린계 가스인 태양 전지의 제조 방법
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제10항에서,제4 식각 가스를 이용하여 상기 제2 텍스처링 표면을 식각하여 상기 제2 텍스처링 표면에 존재하는 잔류물을 제거하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제14항에서,상기 제4 식각 가스는 플루오린계 가스와 염소계 가스의 혼합 가스인 태양 전지의 제조 방법
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