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태양전지용 전극 페이스트, 이를 이용한 태양전지, 및 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015057756
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 전극제조용 페이스트, 이를 이용한 태양전지 전극, 상기 전극을 가지는 태양전지, 및 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적인 태양전지 전극 제조용 페이스트는 은(Ag) 또는 은을 포함한 금속합금을 포함하는 제1 성분과, 아연(Zn)을 포함하고, 규소(Si), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 망간(Mn), 비스무트(Bi), 인(P), 보론(B), 바륨(Ba), 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 제2 성분과, 납-함유 또는 납-무함유의 유리 프릿, 및 수지 결합제가 유기 매질에 분산되어 있는 것을 특징으로 한다.태양전지, 전극, 페이스트, 은, 아연, 납, 유리프릿
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020090061251 (2009.07.06)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1144810-0000 (2012.05.03)
공개번호/일자 10-2011-0003803 (2011.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20120511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120034542;
심사청구여부/일자 Y (2010.05.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽계영 대한민국 대전광역시 서구
2 양영성 대한민국 경기도 여주군
3 이성은 대한민국 대전광역시 유성구
4 남정범 대한민국 서울특별시 관악구
5 김성진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0411011-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219339-79
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0292010-10
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0045358-43
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0489704-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0784746-80
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0784744-99
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0135589-44
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.04.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0267317-14
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0267318-59
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0267376-97
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0215497-07
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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제 1 도전형 반도체 기판의 전면부에 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형 반도체 불순물을 도핑하여 100nm 내지 500nm의 깊이를 가지는 제 2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2 도전형 반도체층 상에 반사방지막을 형성하는 단계;상기 반사방지막 위에 전면전극 페이스트를 프린팅하는 단계;상기 제 1 도전형 반도체 기판의 후면에 후면전극 페이스트를 프린팅하는 단계; 상기 전면전극 페이스트를 열처리하여 상기 반사방지막을 관통해 제 2 도전형 반도체층과 접촉시키는 단계; 및 상기 후면전극 페이스트를 열처리하는 단계를 포함하고,상기 열처리 온도는 800℃ 내지 950℃이고, 열처리 시간은 1 내지 2초인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
21 21
제 20항에 있어서,상기 전면전극 페이스트의 열처리와 후면전극 페이스트의 열처리는 동시(同時) 또는 이시(異時)에 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 20항에 있어서,상기 전면전극 페이스트는,은(Ag) 또는 은을 포함한 금속합금을 포함하는 제1 성분과, 아연(Zn)을 포함하는 제2 성분과, 납-함유 또는 납-무함유의 유리 프릿, 및 수지 결합제가 유기 매질에 분산된 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 22항에 있어서,상기 제2 성분은 규소(Si), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 망간(Mn), 비스무트(Bi), 인(P), 보론(B), 바륨(Ba), 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 20항에 있어서,상기 제 2 도전형 반도체층의 면저항(Sheet Resistance)은 60 내지 120 Ω/square 인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 20항에 있어서,상기 제 2 도전형 반도체 불순물의 농도는 1×1016 내지 1×1021 atom/cm3 인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 20항에 있어서,상기 반사방지막은 2개 층 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 20항에 있어서,상기 제 1 도전형 반도체 기판의 후면에 절연층을 형성하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 27항에 있어서,상기 절연층에 적어도 하나 이상의 개구부를 형성하는 단계를 추가로 더 포함하여 후면전극이 상기 개구부를 통해 제 1 도전형 반도체 기판의 후면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 27항에 있어서,상기 절연층 상에 후면전극 페이스트를 도포하고 상기 절연층과 후면전극 페이스트층을 레이저로 동시에 조사하여 후면전극이 제 1 도전형 반도체 기판의 후면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02452366 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 KR101162162 KR 대한민국 FAMILY
3 US08039734 US 미국 FAMILY
4 US08188365 US 미국 FAMILY
5 US20110000531 US 미국 FAMILY
6 US20110315202 US 미국 FAMILY
7 WO2011005003 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2011005003 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2452366 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2452366 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 US2011000531 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2011315202 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US8039734 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8188365 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2011005003 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
8 WO2011005003 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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