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신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015057785
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.안트라센 유도체, 유기 전자 소자, 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 재료
Int. CL C07C 15/28 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01) C07C 25/22 (2006.01) C07C 211/54 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020090063620 (2009.07.13)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1380008-0000 (2014.03.25)
공개번호/일자 10-2011-0006129 (2011.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성길 대한민국 대전광역시 유성구
2 배재순 대한민국 대전광역시 유성구
3 권혁준 대한민국 대전광역시 유성구
4 장혜영 대한민국 대전광역시 서구
5 신창환 대한민국 대전광역시 서구
6 한혜은 대한민국 대전광역시 서구
7 김성소 대한민국 경기도 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0424879-41
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0614816-56
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0317039-98
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087226-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0054694-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0254598-56
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0254599-02
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0517102-28
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.08.27 수리 (Accepted) 7-1-2013-0034017-43
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0848082-20
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.09.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0848083-76
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0695269-63
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-1014181-93
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1014182-38
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0174123-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 안트라센 유도체:[화학식 1] 상기 화학식 1 에 있어서, Ar1 은 나프틸기 또는 페난트릴기이고, Ar2와 Ar3 중 하나는 수소이고, 나머지 하나는 나프틸기 또는 페난트릴기이며, R1과 R2는 수소이다
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 안트라센 유도체:[화학식 2][화학식 3]상기 화학식 2 및 화학식 3에 있어서, Ar1, Ar2, Ar3, R1 및 R2는 상기 화학식 1의 Ar1, Ar2, Ar3, R1 및 R2와 같다
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센 유도체는 하기 화학식 1-1 내지 1-3, 1-10, 1-11, 1-16 내지 1-18, 1-31 내지 1-33 및 1-35 중 어느 하나로 표시되는 것인 안트라센 유도체:
4 4
제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1의 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기 전자 소자
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자인 것인 유기 전자 소자
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 정방향 구조의 유기 발광 소자인 것인 유기 전자 소자
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조의 유기 발광 소자인 것인 유기 전자 소자
8 8
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 주입층, 정공수송층, 발광층, 및 전자 주입 및 수송층을 포함하는 것인 유기 전자 소자
9 9
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기 전자 소자
10 10
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 전자 수송층, 전자 주입층, 또는 전자 수송 및 전자 주입층을 포함하고, 이 전자 수송층, 전자 주입층, 또는 전자 수송 및 전자 주입층이 상기 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.