맞춤기술찾기

이전대상기술

태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015058096
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는 제1 전도성 타입의 반도체 기판에 형성되는 제1 전도성 타입의 제1 도핑부; 제1 도핑부와 인접한 위치의 반도체 기판에 형성되며, 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 제2 도핑부; 제1 및 제2 도핑부의 일부를 노출하는 보호막; 노출된 제1 도핑부 위에 형성되는 제1 전극; 및 노출된 제2 도핑부 위에 형성되는 제2 전극을 포함한다. 여기에서, 제1 및 제2 전극은 도핑부와 직접 접촉하는 금속 시드층을 각각 포함한다. 본 발명의 실시예에서, 금속 시드층은 증착된 알루미늄 (Al)으로 형성되며, 증착된 알루미늄은 50㎚ 내지 200㎚의 두께로 형성된다. 증착된 알루미늄 시드층은 후속 공정에서 징케이트(zincate) 처리를 통해 도금 공정의 시드층으로 활용된다.태양 전지, 이면 접합, 전극, seed layer, 텍스처링, 징케이트, 알루미늄
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020090076228 (2009.08.18)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1128838-0000 (2012.03.14)
공개번호/일자 10-2011-0018651 (2011.02.24) 문서열기
공고번호/일자 (20120323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.26)
심사청구항수 23

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이성은 대한민국 서울특별시 서초구
2 최영호 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0503776-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0551321-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0367888-86
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0609408-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0609409-04
7 등록결정서
Decision to grant
2011.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0778997-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
제1 전도성 타입의 반도체 기판에 형성되는 제1 전도성 타입의 제1 도핑부;상기 제1 도핑부와 인접한 위치의 반도체 기판에 형성되며, 상기 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 제2 도핑부;상기 제1 및 제2 도핑부의 일부를 노출하는 보호막;상기 노출된 제1 도핑부 위에 형성되는 제1 전극; 및상기 노출된 제2 도핑부 위에 형성되는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 및 제2 전극은 상기 도핑부와 직접 접촉하며 단일층(single layer)으로 형성되는 금속 시드층 및 상기 금속 시드층 위에 배치된 전기도금층을 각각 포함하며, 상기 금속 시드층은 증착된 알루미늄을 포함하는 태양 전지
4 4
제3항에서,상기 금속 시드층은 50㎚ 내지 200㎚의 두께로 형성되는 태양 전지
5 5
제3항 또는 제4항에서,상기 전기도금층은 상기 금속 시드층 위에 배치되는 적어도 하나의 도전층을 더 포함하는 태양 전지
6 6
제5항에서,상기 도전층은 구리, 은, 알루미늄, 주석, 아연, 인듐, 티타늄, 금 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 태양 전지
7 7
제6항에서,상기 도전층은 상기 금속 시드층 위에 순차적으로 배치되는 구리층 및 주석층을 포함하는 태양 전지
8 8
제7항에서,상기 구리층은 10㎛ 내지 30㎛의 두께로 형성되고, 상기 주석층은 5㎛ 내지 15㎛의 두께로 형성되는 태양 전지
9 9
제5항에서,상기 금속 시드층과 도전층 사이에는 상기 도전층을 형성하는 물질이 상기 금속 시드층을 통해 상기 도핑부로 확산되는 것을 방지하는 확산방지층이 배치되는 태양 전지
10 10
제9항에서,상기 확산방지층은 니켈을 포함하는 태양 전지
11 11
제9항에서,상기 확산방지층은 5㎛ 내지 15㎛의 두께로 형성되는 태양 전지
12 12
제9항에서,상기 제1 및 제2 도핑부가 형성되지 않은 상기 반도체 기판의 표면은 텍스처링 표면으로 형성되는 태양 전지
13 13
제12항에서,상기 텍스처링 표면 위에 반사 방지막이 형성되는 태양 전지
14 14
제1 전도성 타입의 반도체 기판 위에 상기 제1 전도성 타입의 제1 도핑부와, 상기 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 제2 도핑부를 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 도핑부의 일부를 노출하는 보호막을 상기 반도체 기판 위에 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2 도핑부와 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 제1 및 제2 도핑부와 직접 접촉하며 단일층(single layer)으로 형성되는 금속 시드층을 형성하는 단계 및 상기 금속 시드층 위에 전기도금층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속 시드층을 형성하는 단계는,알루미늄을 포함하는 시드 물질을 증착하는 단계; 및알루미늄 표면을 징케이트 처리하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
15 15
제14항에서,상기 알루미늄을 진공 증착하는 태양 전지의 제조 방법
16 16
제14항에서,상기 알루미늄을 50~200nm두께로 증착하는 태양전지의 제조 방법
17 17
제14항에서,상기 금속 시드층을 형성하는 단계는 증착된 알루미늄을 열처리하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
18 18
제17항에서,상기 열처리는 수소 분위기에서 350℃ 내지 500℃의 온도로 실시하는 태양전지의 제조 방법
19 19
제14항에서, 상기 알루미늄을 증착하는 단계는 스퍼터링 또는 전자빔 증착을 포함하는 진공 방법에 따라 이루어지는 태양전지의 제조 방법
20 20
제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에서,상기 전기도금층을 형성하는 단계는 상기 시드층 위에 전도성 물질막을 형성하여 상기 전도성 물질막을 포함하는 도전층을 형성하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
21 21
제20항에서,상기 전도성 물질막은 구리, 은, 알루미늄, 주석, 아연, 인듐, 티타늄, 금 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
22 22
제21항에서,상기 도전층을 형성하는 단계는 상기 금속 시드층 위에 10㎛ 내지 30㎛의 두께로 구리를 도금하여 구리층을 형성하고, 상기 구리층 위에 5㎛ 내지 15㎛의 두께로 주석을 도금하여 주석층을 형성하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
23 23
제20항에서, 상기 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 금속 시드층과 도전층의 사이에 확산방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
24 24
제23항에서,상기 확산방지층을 형성하는 단계는 전해도금 방법에 의해 상기 금속 시드층 위에 5㎛ 내지 15㎛의 두께로 니켈을 도금하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
25 25
제17항에서,상기 제1 도핑부 및 상기 제2 도핑부를 형성하는 단계에서는 상기 제1 도핑부와 상기 제2 도핑부를 동시에 형성하는 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101110825 KR 대한민국 FAMILY
2 US08779280 US 미국 FAMILY
3 US09525098 US 미국 FAMILY
4 US10224441 US 미국 FAMILY
5 US20110041911 US 미국 FAMILY
6 US20140295614 US 미국 FAMILY
7 US20160284899 US 미국 FAMILY
8 US20170125617 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011041911 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8779280 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.