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기판;
상기 기판에 배치되는 제 1 전극;
제 2 전극; 및
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되며, p형 반도체층, 진성 반도체층 및 n 형 반도체층을 각각 포함하는 복수의 광전변환부;
를 포함하고,
상기 복수의 광전변환부는
탄소(C) 및 산소(O) 중 적어도 하나의 재질의 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 재질의 제 1 진성 반도체층을 포함하는 제 1 광전변환부;
게르마늄(Ge) 재질이 도핑된 비정질 실리콘 재질의 제 2 진성 반도체층을 포함하는 제 2 광전변환부; 및
게르마늄(Ge) 재질이 도핑된 미세 결정 실리콘 재질의 제 3 진성 반도체층을 포함하는 제 3 광전변환부;
를 포함하는 태양전지
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제 5 항에 있어서,
광입사면으로부터 상기 제 1 광전변환부, 상기 제 2 광전변환부 및 상기 제 3 광전변환부가 차례로 배치되는 태양전지
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제 5 항에 있어서,
상기 제 3 진성 반도체층의 상기 게르마늄 재질의 도핑농도는 상기 제 2 진성 반도체층의 상기 게르마늄 재질의 도핑농도보다 낮은 태양전지
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제 5 항에 있어서,
상기 제 3 진성 반도체층의 두께는 상기 제 2 진성 반도체층의 두께보다 두껍고, 상기 제 2 진성 반도체층의 두께는 상기 제 1 진성 반도체층의 두께보다 두꺼운 태양전지
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제 5 항에 있어서,
상기 제 2 광전변환부와 상기 제 3 광전변환부의 사이에는 제 2 광전 변환부를 투과한 광을 반사하는 제 2 중간층(Interlayer)이 더 배치되는 태양전지
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제 5 항에 있어서,
상기 제 1 광전변환부와 상기 제 2 광전변환부의 사이에는 제 1 광전 변환부를 투과한 광을 반사하는 제 1 중간층(Interlayer)이 더 배치되는 태양전지
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제 5 항에 있어서,
상기 제 1 광전변환부와 상기 제 2 광전변환부의 사이에 배치되어 제 1 광전 변환부를 투과한 광을 반사하는 제 1 중간층 및 상기 제 2 광전변환부와 상기 제 3 광전변환부의 사이에 배치되어 제 2 광전 변환부를 투과한 광을 반사하는 제 2 중간층을 더 포함하고,
상기 제 2 중간층의 두께는 상기 제 1 중간층의 두께보다 두꺼운 태양전지
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제 5 항에 있어서,
상기 제 1 광전변환부와 상기 제 2 광전변환부의 사이에 배치되어 제 1 광전 변환부를 투과한 광을 반사하는 제 1 중간층 및 상기 제 2 광전변환부와 상기 제 3 광전변환부의 사이에 배치되어 제 2 광전 변환부를 투과한 광을 반사하는 제 2 중간층을 더 포함하고,
제 1 파장 대역에 대한 상기 제 1 중간층의 굴절률은 상기 제 2 중간층의 굴절률보다 크고,
상기 제 1 파장보다 긴 제 2 파장 대역에 대한 상기 제 2 중간층의 굴절률은 상기 제 1 중간층의 굴절률보다 큰 태양전지
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제 5 항에 있어서,
상기 제 3 진성 반도체층의 상기 게르마늄 재질의 함량비는 3~20atom%인 태양전지
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제 5 항에 있어서,
상기 제 2 진성 반도체층의 상기 게르마늄 재질의 함량비는 5~30atom%인 태양전지
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제 5 항에 있어서,
상기 제 1 진성 반도체층의 상기 불순물의 함량비는 10~50atom%인 태양전지
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