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에폭시 수지, 열가소성 수지; 및 필러를 포함하고,상기 열가소성 수지가 내부 가교 구조 또는 내부 얽힘 구조를 가지며, 상기 필러가 알루미나 또는 층상 규산염인 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 에폭시 수지는 경화 전 자체 연화점이 50℃ 내지 100℃인 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 에폭시 수지는 이관능성 에폭시 수지 및 다관능성 에폭시 수지의 혼합 수지인 접착제 조성물
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제 3 항에 있어서, 이관능성 에폭시 수지는 다관능성 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 50 중량부의 양으로 포함되는 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 알루미나가 a-알루미나, γ-알루미나, 디아스포어, 베아이트, 히드라질라이트 및 바이어라이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 층상 규산염이 미카, 플루오로미카, 파이로필라이트, 해록석, 질석, 세피올라이트, 알로폰, 이모골라이트, 탈크, 일라이트, 소복카이트, 스빈포다이트, 카올리나이트, 디크석, 나크라이트, 아녹사이트, 견운모, 레디카이트, 몬트로나이트, 메타할로사이트, 사문석점토, 온석면, 안티고라이트, 애타풀자이트, 팔리고스카이트, 목절 점토, 와목 점토, 히신게라이트, 녹니석, 몬모릴로나이트, 소디움 몬모릴로나이트, 마그네슘 몬모릴로나이트, 칼슘 몬모릴로나이트, 논트로나이트, 벤토나이트, 베이델라이트, 헥토라이트, 소디움 헥토라이트, 사포나이트, 사우코나이트, 플루오로헥토라이트, 스테벤사이트, 볼콘스코이트, 마가다이트, 켄야이트, 할로사이트, 히드로탈사이트, 스멕타이트 및 스멕타이트형 층상 규산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 층상 규산염이 유기 점토인 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 알루미나 또는 층상 규산염은 평균 크기가 0
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제 1 항에 있어서, 알루미나 또는 층상 규산염은, 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 0
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제 1 항에 있어서, 경화제를 추가로 포함하는 접착제 조성물
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삭제
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제 1 항에 있어서, 열가소성 수지는 경화 전 자체 유리전이온도가 -30℃ 내지 50℃인 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 열가소성 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 250만인 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 열가소성 수지는 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 50 중량부 내지 1,000 중량부의 양으로 포함되는 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 경화제가 수산기 당량이 100 내지 1,000인 다관능성 페놀 수지인 접착제 조성물
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제 1 항에 있어서, 경화제는 에폭시 수지의 에폭시 당량 대비 0
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제 1 항에 있어서, 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 접착제 조성물:[일반식 1]X = 5% 내지 20%상기 일반식 1에서 X는 상기 접착제 조성물을 110℃의 온도에서 3분 동안 건조한 후에 측정한 겔 함량을 나타낸다
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기재 필름; 및 상기 기재 필름 상에 형성되고, 제 1 항 내지 제 10 항 및 제 12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물의 경화물을 함유하는 접착층을 포함하는 접착필름
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다이싱 테이프; 및 상기 다이싱 테이프의 일면에 형성되고, 제 1 항 내지 제 10 항 및 제 12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물의 경화물을 함유하는 접착부를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름
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제 19 항에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 접착부가 웨이퍼의 일 면에 부착되어 있고, 상기 다이싱 다이본딩 필름의 다이싱 테이프가 웨이퍼 링 프레임에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼
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배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 부착되어 있으며, 제 1 항 내지 제 10 항 및 제 12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물의 경화물을 포함하는 접착층; 및 상기 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치
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