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패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015058458
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요약 본 발명은 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 나노 패턴에 의하여 국부적으로 표면 에너지가 변화된 기판 및 코팅방법을 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 패턴 형성 방법은 단순 코팅법을 이용할 수 있으므로, 패턴을 형성하는 물질에 대한 유기, 산, UV, 열 등의 외적 영향을 배제할 수 있다.나노 패턴, 표면 에너지, 코팅
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G03F 7/2053(2013.01) G03F 7/2053(2013.01) G03F 7/2053(2013.01) G03F 7/2053(2013.01) G03F 7/2053(2013.01)
출원번호/일자 1020090083374 (2009.09.04)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1340782-0000 (2013.12.05)
공개번호/일자 10-2011-0025354 (2011.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20131211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.29)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태수 대한민국 대전광역시 중구
2 김재진 대한민국 서울특별시 송파구
3 신부건 대한민국 대전광역시 유성구
4 유민아 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0545692-60
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0598258-13
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0761263-56
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0092478-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0239148-74
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0507937-09
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0507938-44
9 등록결정서
Decision to grant
2013.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0741289-90
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 기판 전면에 감광재를 코팅하여 감광재층을 형성하는 단계,2) 상기 감광재층 상의 패턴 형성을 요하는 영역에 나노 스케일의 요철을 형성하는 단계, 및3) 상기 나노 스케일의 요철이 형성된 감광재층 상에 패턴 형성을 요하는 용액을 코팅하는 단계를 포함하고, 상기 2) 단계의 나노 스케일의 요철의 선 폭은 50nm 내지 1㎛이고, 상기 3) 단계에서 상기 감광재층 상에 형성되는 패턴의 최소 선 폭은 1㎛이상이며, 두께는 선폭의 1/2 이상인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
2 2
a) 기판 상의 패턴 형성을 요하는 영역에 나노 스케일의 요철을 형성하는 단계, 및b) 상기 나노 스케일의 요철이 형성된 기판 상에 패턴 형성을 요하는 용액을 코팅하는 단계를 포함하고, 상기 a) 단계의 나노 스케일의 요철의 선 폭은 50nm 내지 1㎛이고, 상기 b) 단계에서 상기 기판 상에 형성되는 패턴의 최소 선 폭은 1㎛이상이며, 두께는 선폭의 1/2 이상인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 감광재는 i-line 감광재인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 감광재를 코팅하는 방법은 스핀 코팅 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 감광재 및 기판 사이에 추가로 반사 방지 물질을 코팅하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계의 감광재층 상에 나노 스케일의 요철을 형성하는 방법은 레이저 간섭 방법, 포토 리소그래피 방법 및 나노 임프린트 방법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
7 7
삭제
8 8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 2) 단계 또는 a) 단계의 나노 스케일의 요철의 단면은 직사각형, 정사각형, 삼각형, 원형 및 정현파형으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
9 9
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 3) 단계 또는 b) 단계의 패턴 형성을 요하는 용액을 코팅하는 방법은 스핀 코팅 방법, 바 코팅 방법, 및 딥 코팅 방법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
10 10
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 3) 단계 또는 b) 단계의 패턴 형성을 요하는 용액은 물인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
11 11
삭제
12 12
기판, 패턴 형성을 요하는 영역에 나노 스케일의 요철이 형성된 감광재층, 및 상기 감광재층 상의 나노 스케일의 요철이 형성된 영역에 대응하도록 형성된 패턴층을 포함하고, 상기 감광재층의 나노 스케일의 요철의 선 폭은 50nm 내지 1㎛이고, 상기 감광재층 상에 형성된 패턴의 최소 선 폭은 1㎛이상이며, 두께는 선폭의 1/2 이상인 것을 특징으로 하는 기판
13 13
패턴 형성을 요하는 영역에 나노 스케일의 요철이 형성된 기판 및 상기 기판 상의 나노 스케일의 요철이 형성된 영역에 대응하도록 형성된 패턴층을 포함하고, 상기 기판의 나노 스케일의 요철의 선 폭은 50nm 내지 1㎛이고, 상기 기판 상에 형성된 패턴의 최소 선 폭은 1㎛이상이며, 두께는 선폭의 1/2 이상인 것을 특징으로 하는 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.