1 |
1
150℃에서 점도가 0
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 방향족계 에폭시 수지는, 150℃에서 점도가 0
|
3 |
3
제 1 항에 있어서, 방향족계 에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 접착제 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1에서, n은 2 내지 20을 나타낸다
|
4 |
4
제 3 항에 있어서, 방향족계 에폭시 수지는, 비페닐형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지, 크레졸계 에폭시 수지, 비스페놀계 에폭시 수지, 자일록계 에폭시 수지, 다관능 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지 및 알킬 변성 트리페놀 메탄 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 접착제 조성물
|
5 |
5
제 1 항에 있어서, 연화점이 50℃ 내지 100℃인 에폭시 수지를 추가로 포함하는 접착제 조성물
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 에폭시 수지는 에폭시 당량이 100 내지 1,000인 접착제 조성물
|
7 |
7
제 1 항에 있어서, 내부 가교 또는 내부 얽힘 구조를 가지는 열가소성 수지는 경화 전 자체 유리전이온도가 -30℃ 내지 50℃인 접착제 조성물
|
8 |
8
제 1 항에 있어서, 내부 가교 또는 내부 얽힘 구조를 가지는 열가소성 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 250만인 접착제 조성물
|
9 |
9
제 1 항에 있어서, 내부 가교 또는 내부 얽힘 구조를 가지는 열가소성 수지는 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 10 중량부 내지 400 중량부의 양으로 포함되는 접착제 조성물
|
10 |
10
제 1 항에 있어서, 수산기 당량이 100 내지 1,000인 다관능성 페놀 수지를 추가로 포함하는 접착제 조성물
|
11 |
11
제 10 항에 있어서, 다관능성 페놀 수지는 연화점이 50 내지 150인 접착제 조성물
|
12 |
12
제 10 항에 있어서, 다관능성 페놀 수지는, 자일록 노볼락 수지, 비스페놀 F 노볼락 수지, 비스페놀 F 수지, 비스페놀 A 수지, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 페놀 아랄킬 수지, 멀티펑션 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔 페놀 노볼락 수지, 아미노 트리아진 페놀 노볼락 수지, 폴리부타디엔 페놀 노볼락 수지 및 비페닐 타입 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 접착제 조성물
|
13 |
13
제 10 항에 있어서, 다관능성 페놀 수지는 에폭시 수지의 에폭시 당량 대비 0
|
14 |
14
제 1 항에 있어서, 충진제를 추가로 포함하는 접착제 조성물
|
15 |
15
제 1 항에 있어서, 경화 촉진제 또는 커플링제를 추가로 포함하는 접착제 조성물
|
16 |
16
기재 필름; 및 상기 기재 필름 상에 형성되고, 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물의 경화물을 함유하는 접착층을 포함하는 접착필름
|
17 |
17
다이싱 테이프; 및 상기 다이싱 테이프의 일면에 형성되고, 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물의 경화물을 함유하는 접착부를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름
|
18 |
18
제 17 항에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 접착부가 웨이퍼의 일 면에 부착되어 있고, 상기 다이싱 다이본딩 필름의 다이싱 테이프가 웨이퍼 링 프레임에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼
|
19 |
19
배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 부착되어 있으며, 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물의 경화물을 포함하는 접착층; 및 상기 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치
|