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연마입자; 분산제; 및이온성 고분자에서 유도된 주쇄에, 비이온성 고분자에서 유도된 복수의 분지쇄가 결합되어 있는 공중합체를 포함하는 고분자 첨가제를 포함하는 CMP용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 공중합체는 상기 주쇄 및 분지쇄가 빗 형상(comb-type)을 띄고 있는 고분자인 CMP용 슬러리 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 공중합체는 아크릴레이트계 또는 메타크릴레이트계 반복 단위를 갖는 주쇄에, 알킬렌옥사이드계 반복 단위를 갖는 분지쇄가 결합되어, 이들 주쇄 및 분지쇄가 빗 형상을 띄고 있는 고분자인 CMP용 슬러리 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 공중합체는 폴리아크릴산 및 폴리메타크릴산으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 반복 단위와, 폴리프로필렌옥사이드 메타크릴산, 폴리프로필렌옥사이드 아크릴산, 폴리에틸렌옥사이드 메타크릴산 및 폴리에틸렌옥사이드 아크릴산으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 반복 단위를 포함하는 공중합체인 CMP용 슬러리 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 공중합체는 하기 화학식 1의 단량체와 화학식 2의 단량체가 공중합되어 주쇄 및 분지쇄가 빗 형상(comb-type)을 띄고 있는 공중합체인 CMP용 슬러리 조성물: [화학식 1]상기 화학식 1에서,R1은 수소원자 또는 메틸이고,R2는 탄소수 2 내지3의 알킬(alkyl)이고,R3는 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬이고, m은 2 내지 100의 정수이며,[화학식 2]상기 화학식2에서,R1은 수소원자 또는 메틸이다
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 첨가제를 0
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제1항에 있어서,상기 고분자 첨가제의 중량평균 분자량이 1,000 내지 500,000인 CMP용 슬러리 조성물
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제 1 항에 있어서,폴리실리콘막에 대한 연마율 : 실리콘 산화막에 대한 연마율이 1 : 30 이상인 연마 선택비를 나타내는 CMP용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서, 상기 연마 입자는 산화세륨(CeO2)을 포함하는 CMP용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서, 상기 연마 입자는 10 내지 500nm의 평균 입경을 갖는 CMP용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서, 상기 연마 입자를 0
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제1항에 있어서, 상기 분산제는 폴리비닐알콜(PVA), 에틸렌글리콜(EG), 글리세린, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리프로필렌글리콜(PPG) 및 폴리비닐피롤리돈(PVP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 비이온성 고분자 분산제; 또는 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴산 암모늄염 및 폴리아크릴 말레익산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온성 고분자 분산제를 포함하는 CMP용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서, 상기 분산제를 연마입자 100중량%에 대하여 0
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제1항에 있어서,pH조절제를 더 포함하는 CMP용 슬러리 조성물
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제14항에 있어서,상기 pH조절제는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아수, 수산화비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨 및 탄산나트륨으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 염기성 pH조절제; 또는염산, 질산, 황산, 인산, 포름산 및 아세트산으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 산성 pH조절제를 포함하는 CMP용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마입자의 0
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제1항에 있어서,pH가 6 내지 8인 CMP용 슬러리 조성물
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제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 CMP용 슬러리 조성물 사용하여 반도체 기판상의 연마 대상막을 연마하는 단계를 포함하는 연마 방법
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제18항에 있어서,상기 연마 대상막은 실리콘 산화막을 포함하는 연마 방법
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제19항에 있어서,반도체 기판 상에 소정의 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계;상기 폴리실리콘막 패턴이 형성된 반도체 기판상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 폴리실리콘막이 노출될 때까지 상기 실리콘 산화막을 연마하는 단계를 포함하는 연마방법
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제19항에 있어서,반도체 소자의 얕은 트렌치 소자 분리 공정(STI 공정)에 적용되며, 상기 연마되는 실리콘 산화막이 반도체 소자의 필드영역을 정의하는 연마 방법
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