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기판 상에 형성된 후면전극층;
상기 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층;
상기 후면전극층과 상기 광 흡수층 사이에 배치되며, 상기 후면전극층의 표면 상에 형성된 제1 전도도의 제1 합금막과 상기 제1 전도도 보다 큰 제2 전도도를 가지는 제2 합금막;
상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층;
상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 제2 합금막을 노출시키는 관통홀; 및
상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함하고,
상기 제1 합금막과 제2 합금막은 동일한 층에 형성되는 태양전지
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제1항에 있어서,
상기 전면전극으로부터 연장되고, 상기 제2 합금막과 접속하는 접속배선을 포함하는 태양전지
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3
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 합금막은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)층이고,
상기 제1 합금막의 그레인은 제1 크기로 형성되고, 상기 제2 합금막의 그레인은 제1 크기보다 큰 제2 크기를 가지는 태양전지
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4
제1항에 있어서,
상기 제2 합금막은 상기 제1 합금막의 그레인 사이즈보다 2~5배 큰 그레인 사이즈를 가지는 태양전지
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5
기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 후면전극층과 상기 광 흡수층의 금속간 반응에 의하여 상기 후면전극층 표면에 제1 합금막을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하는 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀 형성에 의하여 노출된 상기 제1 합금막이 결정화되고 선택적으로 제2 합금막을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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6
제5항에 있어서,
상기 후면전극은 몰리브덴(Mo)으로 형성되고, 상기 광 흡수층은 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 화합물로 형성되며,
상기 합금막은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)층으로 형성되는 태양전지의 제조방법
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7
제5항에 있어서,
상기 제2 합금막은 상기 관통홀에 의하여 노출된 상기 제1 합금막에 대한 국소 열처리 공정을 통해 형성되는 태양전지의 제조방법
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8
제5항에 있어서,
상기 관통홀은 팁을 이용한 스크라이빙 공정을 통해 형성되고,
상기 스크라이빙 공정 시 상기 팁에 400~1000℃의 열이 인가되는 태양전지의 제조방법
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9
제5항에 있어서,
상기 제1 합금막은 제1 전도도를 가지며, 상기 제2 합금막은 제1 전도도 보다 큰 제2 전도도를 가지는 태양전지의 제조방법
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10
제5항에 있어서,
상기 제1 합금막의 그레인은 제1 크기로 형성되고, 상기 제2 합금막의 크레인 크기는 제1 크기보다 큰 제2 크기로 형성되는 태양전지의 제조방법
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