맞춤기술찾기

이전대상기술

태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015058905
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 배치된 제1 셀 및 제2 셀은 각각 광기전력을 생성하는 액티브 영역 및 광을 투과시키는 투과부를 포함하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀의 상기 액티브 영역 및 투과부는 서로 교대로 배치되고, 상기 제1 셀의 액티브 영역은 상기 제2 셀의 투과부와 접하도록 배치되고, 상기 제1 셀의 액티브 영역의 에지영역은 상기 제2 셀의 액티브 영역의 에지영역과 연결되도록 배치된 것을 포함한다. 태양전지, BIPV
Int. CL H01L 31/042 (2014.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020090093692 (2009.10.01)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1081251-0000 (2011.11.01)
공개번호/일자 10-2011-0036170 (2011.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20111108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.01)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 지석재 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0605390-73
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0075793-19
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2009.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0622060-65
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0107594-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0308313-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0308314-38
8 등록결정서
Decision to grant
2011.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0587890-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치된 제1 셀 및 제2 셀은 각각 광기전력을 생성하는 액티브 영역 및 광을 투과시키는 투과부를 포함하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀의 상기 액티브 영역 및 투과부는 서로 교대로 배치되고, 상기 제1 셀의 액티브 영역은 상기 제2 셀의 투과부와 접하도록 배치되고, 상기 제1 셀의 액티브 영역의 에지영역은 상기 제2 셀의 액티브 영역의 에지영역과 연결되도록 배치되고, 상기 제1 셀 및 제2 셀의 상기 액티브 영역은 제1 길이로 형성되고, 상기 투과부는 제1 길이보다 작은 제2 길이로 형성되며, 가로 방향을 기준으로 하였을 때 상기 제1 셀의 투과부와 상기 제2 셀의 투과부는 서로 이격된 위치에 있도록 지그재그 형태로 배치되고, 가로방향을 기준으로 하였을 때 상기 제1 셀의 액티브 영역과 상기 제2 셀의 액티브 영역은 그 에지영역이 서로 연결되도록 지그재그 형태로 배치된 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 액티브 영역은 CIGS 광 흡수층을 포함하고, 상기 투과부는 상기 기판을 선택적으로 노출시키는 개구부 및 상기 개구부 내부에 배치된 투명절연물질을 포함하는 태양전지
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 셀 및 제2 셀의 세로방향을 기준으로 상기 액티브 영역 및 투과부의 구조는, 상기 기판 상에 적층된 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층; 상기 후면전극층, 광 흡수층, 버퍼층 및 전면전극층을 선택적으로 제거하여 상기 기판을 노출시키는 개구부; 및 상기 개구부를 포함하는 전면전극층 상부에 형성된 에바 필름을 포함하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 가로 방향을 기준으로 서로 인접하는 상기 제1 셀의 액티브 영역 및 제2 셀의 투과부의 구조는, 상기 기판 상에 제1 관통홀에 의하여 분리된 상기 제1 셀의 제1 후면전극 및 제2 셀의 제2 후면전극; 상기 제1 후면전극 및 제2 후면전극을 포함하는 기판 상에 적층된 광 흡수층 및 버퍼층; 상기 제2 후면전극을 선택적으로 노출시키는 제2 관통홀; 상기 제2 관통홀을 포함하는 버퍼층 상에 형성된 전면전극층; 상기 제2 관통홀 하부의 상기 제2 후면전극이 일부 남아있도록 상기 기판을 노출시키는 개구부; 및 상기 개구부를 포함하는 전면전극층 상부에 형성된 에바 필름을 포함하는 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 가로 방향을 기준으로 서로 인접하는 상기 제1 셀 및 제2 셀의 액티브 영역의 구조는, 상기 기판 상에 제1 관통홀에 의하여 분리된 제1 후면전극 및 제2 후면전극; 상기 제1 및 제2 후면전극을 포함하는 기판 상에 적층된 광 흡수층 및 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 제2 후면전극의 일부를 노출시키는 제2 관통홀; 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층; 상기 전면전극층에서 연장되고 상기 제2 관통홀을 통해 상기 제2 후면전극과 접속하는 접속배선; 및 상기 제1 셀과 제2 셀이 분리되도록 상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하고 상기 제2 후면전극을 선택적으로 노출시키는 제3 관통홀을 포함하는 태양전지
7 7
제4항에 있어서, 상기 제1 셀 및 제2 셀의 상부에 배치된 에바필름을 포함하고, 상기 개구부로 상기 에바필름이 연장되고 상기 투과부가 형성된 태양전지
8 8
기판 상에 제1 관통홀에 의하여 분리된 제1 후면전극 및 제2 후면전극을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 후면전극을 포함하는 상기 기판 상에 광 흡수층 및 버퍼층을 적층하는 단계; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 제2 후면전극의 일부를 노출시키는 제2 관통홀을 형성하는 단계; 상기 제2 관통홀이 갭필되도록 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계; 상기 제2 관통홀에 인접하는 상기 제2 후면전극이 노출되도록 상기 전면전극층, 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하는 제3 관통홀을 형성하고, 제1 셀 및 제2 셀을 형성하는 단계; 상기 제2 관통홀 하부의 제2 후면전극을 제외한 나머지 영역에 해당하는 상기 전면전극층, 버퍼층, 광 흡수층 및 제2 후면전극을 제거하여 상기 기판을 노출시키는 개구부를 형성하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀에서 액티브 영역을 형성하는 단계; 및 상기 개구부 내부에 투명절연물질을 갭필하여 투과부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 개구부를 형성하는 단계는, 상기 제3 관통홀을 포함하는 전면전극층 상에 상기 제2 후면전극에 대응하는 상기 전면전극층을 노출시키는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 식각마스크로 사용하고, 상기 전면전극층, 버퍼층, 광 흡수층 및 제2 후면전극에 대한 식각 공정을 진행하는 단계를 포함하며, 상기 마스크 패턴은 차광부 및 노출부를 포함하고, 상기 마스크 패턴의 세로 방향을 기준으로 상기 차광부 및 노출부는 교대로 형성되며, 상기 마스크 패턴의 가로 방향을 기준으로 상기 노출부는 이웃하는 노출부와 지그재그 형태로 형성되고, 상기 마스크 패턴의 가로 방향을 기준으로 상기 차광부는 이웃하는 차광부와 에지 영역이 상호 연결된 형태로 형성되는 태양전지의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 투과부는 상기 개구부를 포함하는 전면전극층 상에 에바필름의 라미네이션 공정을 통해 형성되는 태양전지의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 제1 셀 및 제2 셀에서 상기 투과부는 상기 액티브 영역과 교대로 형성되는 태양전지의 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제8항에 있어서, 상기 제2 후면전극의 폭은 제1 너비로 형성되고, 상기 개구부의 폭은 제1 너비 보다 작은 제2 너비로 형성되는 태양전지의 제조방법
14 14
삭제
15 15
제8항에 있어서, 상기 마스크 패턴의 차광부에 의하여 상기 제1 셀 및 제2 셀의 액티브 영역이 형성되고, 상기 노출부(12)에 의하여 상기 제1 셀 및 제2 셀의 투과부가 형성되며, 세로방향을 기준으로 상기 제1 셀 및 제2 셀에서 상기 액티브 영역 및 투과부는 교대로 배치되고, 가로 방향을 기준으로 상기 제1 셀의 투과부 및 제2 셀의 투과부는 서로 엇갈리도록 지그재그 형태로 형성되고, 가로방향을 기준으로 상기 제1 셀의 액티브 영역 및 제2 셀의 액티브 영역은 그 에지 영역의 접속배선에 의하여 상호 연결되는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102668120 CN 중국 FAMILY
2 EP02485273 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP25506995 JP 일본 FAMILY
4 KR101081085 KR 대한민국 FAMILY
5 US20120186625 US 미국 FAMILY
6 WO2011040786 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2011040786 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102668120 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2013506995 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.