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셀 영역과 에지 영역을 포함하는 기판 상의 상기 셀 영역 상에 배치된 후면전극;
상기 후면전극 상에 배치된 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 배치된 전면전극; 및
상기 에지 영역의 상기 기판에 형성된 홈을 포함하고,
상기 홈과 상기 기판의 끝단 사이의 기판 상에도 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극이 적층된 구조물이 배치된 것을 포함하는 태양전지
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제 1항에 있어서,
상기 홈의 내부에 절연막이 배치되며,
상기 절연막은 산화 티타늄(TiO2), 산화 규소(SiO2), 산화 아연(ZnO) 중 어느 하나로 형성된 것을 포함하는 태양전지
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제 2항에 있어서,
상기 절연막은 상기 홈 내부의 측벽 및 바닥면을 따라 형성되며,
상기 기판의 상면보다 낮게 형성된 것을 포함하는 태양전지
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삭제
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제 1항에 있어서,
상기 셀 영역에 형성된 상기 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극이 적층된 구조물과 상기 홈과 상기 기판의 끝단 사이의 기판 상에 형성된 구조물은 서로 이격된 것을 포함하는 태양전지
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셀 영역과 에지 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
상기 에지 영역의 상기 기판에 홈을 형성하는 단계;
상기 홈의 내부에 절연막을 형성하는 단계;
상기 절연막이 채워진 홈을 포함하는 상기 기판의 전면에 후면전극을 형성하는 단계;
상기 후면전극 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 전면전극을 형성하는 단계; 및
상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,
상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거하는 단계는,
상기 홈을 따라 스크라이빙 공정을 진행하여 상기 구조물을 제거하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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8
제 6항에 있어서,
상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거할 때, 상기 절연막의 일부도 제거되어,
상기 홈 내부의 측벽 및 바닥면을 따라 상기 절연막의 일부가 남겨지고,
상기 남겨진 절연막은 상기 기판의 상면보다 낮게 형성된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,
상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거할 때, 상기 절연막 상의 구조물만 제거되어,
상기 홈과 상기 기판의 끝단 사이의 기판 상에도 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극이 적층된 구조물이 남겨지는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서,
상기 셀 영역에 형성된 상기 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극이 적층된 구조물과 상기 홈과 상기 기판의 끝단 사이의 기판 상에 형성된 구조물은 서로 이격된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 6항에 있어서,
상기 절연막은 산화 티타늄(TiO2), 산화 규소(SiO2), 산화 아연(ZnO) 중 어느 하나로 형성된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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