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박막 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015058919
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요약 본 발명은 박막 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 박막 태양 전지 모듈은 절연 영역에 의해 구분된 발전 영역과 에지 영역을 포함하는 기판; 및 발전 영역 내에 위치하는 복수의 박막 태양 전지들을 포함한다. 각각의 박막 태양 전지는 기판 위에 위치하는 투명 전극; 투명 전극 위에 위치하는 실리콘 발전층; 및 실리콘 발전층 위에 위치하며, 인접한 박막 태양 전지의 투명 전극과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 포함하고, 절연 영역에 인접한 최외곽의 박막 태양 전지의 투명 전극의 측면은 절연 영역에 노출된 실리콘 발전층의 측면에 의해 커버된다.박막, 태양 전지, 레이저 스크라이빙, TCO, shunt resistance, edge isolation,
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020090095217 (2009.10.07)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1295547-0000 (2013.08.06)
공개번호/일자 10-2011-0037678 (2011.04.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손정훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 이승준 대한민국 서울특별시 서초구
3 이헌민 대한민국 서울특별시 서초구
4 문태호 대한민국 서울특별시 서초구
5 윤원기 대한민국 서울특별시 서초구
6 박진희 대한민국 서울특별시 서초구
7 안세원 대한민국 서울특별시 서초구
8 어영주 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0614565-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0572331-85
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0050838-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0503508-44
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0874665-58
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0874664-13
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0163236-89
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0396219-64
11 등록결정서
Decision to grant
2013.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0372041-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수 개의 박막 태양전지들이 형성되는 발전 영역과, 발전 영역의 주변에 형성되는 에지 영역 및 발전 영역과 에지 영역을 구분하는 절연 영역을 포함하는 기판; 및상기 발전 영역 내에 위치하는 복수의 박막 태양 전지들을 포함하며, 각각의 박막 태양 전지는,상기 기판 위에 위치하는 투명 전극;상기 투명 전극 위에 위치하는 실리콘 발전층;상기 실리콘 발전층 위에 위치하며, 인접한 박막 태양 전지의 투명 전극과 전기적으로 연결되는 후면 전극; 및상기 실리콘 발전층과 후면 전극 사이에 위치하는 후면 반사층을 포함하고,상기 절연 영역에 인접한 최외곽의 박막 태양 전지에 있어서, 상기 절연 영역에 노출된 상기 실리콘 발전층의 측면은 상기 투명 전극의 측면을 덮는 박막 태양 전지 모듈
2 2
제1항에서,상기 최외곽 박막 태양 전지의 후면 전극의 측면의 위치와 상기 실리콘 발전층의 측면의 위치가 서로 일치하는 박막 태양 전지 모듈
3 3
제2항에서,상기 최외곽 박막 태양 전지의 후면 반사층의 측면의 위치가 상기 실리콘 발전층의 측면의 위치 및 후면 전극의 측면의 위치와 서로 일치하는 박막 태양 전지 모듈
4 4
제1항에서,상기 에지 영역에는 상기 투명 전극을 형성하는 투명 도전층, 상기 실리콘 발전층을 형성하는 실리콘 박막층, 후면 반사층, 및 상기 후면 전극을 형성하는 후면 전극층이 기판 위에 순차적으로 위치하고, 상기 절연 영역에 노출된 실리콘 박막층의 측면은 상기 투명 전극층의 측면을 덮는 박막 태양 전지 모듈
5 5
제4항에서,상기 에지 영역의 투명 도전층과 최외곽 박막 태양 전지의 투명 전극 사이의 간격은 상기 절연 영역의 폭보다 넓게 형성되는 박막 태양 전지 모듈
6 6
제5항에서,상기 절연 영역에 노출되는 후면 전극층의 측면의 위치가 상기 실리콘 박막층의 측면의 위치와 서로 일치하는 박막 태양 전지 모듈
7 7
제6항에서,상기 절연 영역에 노출되는 후면 반사층의 측면의 위치가 상기 실리콘 박막층의 측면의 위치 및 후면 전극층의 측면의 위치와 서로 일치하는 박막 태양 전지 모듈
8 8
제1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에서,상기 투명 도전층 및 투명 전극은 금속 산화물로 이루어지는 박막 태양 전지 모듈
9 9
제8항에서,상기 금속 산화물은 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO) 중에서 선택된 적어도 한 물질을 포함하는 박막 태양 전지 모듈
10 10
기판 위에 투명 도전층을 증착하는 단계;제1 스크라이빙 공정에 의해 투명 도전층을 패터닝하여 일정한 간격을 두고 서로 이격된 복수의 투명 전극을 형성하는 단계;상기 복수의 투명 전극 위에 실리콘 박막층을 증착하는 단계;상기 제1 스크라이빙 공정에 의해 제거된 부분의 상기 투명 도전층과 어긋난 위치의 상기 실리콘 박막층을 제2 스크라이빙 공정에 의해 패터닝하여 복수의 실리콘 발전층을 형성하는 단계;상기 실리콘 발전층 위에 후면 반사층 및 후면 전극층을 증착하는 단계;상기 제2 스크라이빙 공정에 의해 제거된 부분의 상기 실리콘 발전층과 어긋난 위치의 상기 후면 반사층 및 후면 전극층을 제3 스크라이빙 공정에 의해 패터닝하여 복수의 후면 반사층 및 후면 전극을 형성하는 단계; 및절연 영역의 실리콘 박막층, 후면 반사층 및 후면 전극층을 제4 스크라이빙 공정에 의해 제거하여 발전 영역과 에지 영역을 구분하는 단계를 포함하며,상기 제1 스크라이빙 공정에 의해 상기 투명 도전층을 패터닝하는 단계에서, 상기 절연 영역에 위치하는 투명 도전층을 상기 절연 영역의 폭보다 넓게 제거하는 박막 태양 전지 모듈의 제조 방법
11 11
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제10항에서,상기 제4 스크라이빙 공정을 실시하기 전에 정렬 작업을 실시하는 박막 태양 전지 모듈의 제조 방법
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18 18
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102074598 CN 중국 FAMILY
2 EP02309546 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02309546 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 US09087953 US 미국 FAMILY
5 US20110079264 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102074598 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102074598 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2309546 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2309546 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 US2011079264 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US9087953 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.