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복수개의 나노로드를 포함하는 나노로드 집합체;상기 나노로드 집합체 위에 배치된 발광 구조물; 을 포함하고,상기 발광 구조물은, 제1 도전성 반도체층; 상기 제1 도전성 반도체층 위에 활성층; 및 상기 활성층 위에 제2 도전성 반도체층을 포함하는 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 나노로드 집합체의 측면에 비전도성 반도체층이 형성되는 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 나노로드 집합체의 측면 및 상면에 비전도성 반도체층이 형성되며, 상기 제1 도전성 반도체층은 상기 비전도성 반도체층 상에 형성되는 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 나노로드 집합체는 ZnO, In2O3, GaN, SiC, GaAs, GaP, InP, GaInP, AlGaAs, Si 중 적어도 어느 하나로 형성된 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 나노로드 집합체는 길이가 1μm 내지 100μm이고, 상기 나노로드 집합체에 포함된 각각의 나노로드의 직경은 1nm 내지 1000nm 인 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 나노로드 집합체 아래에 기판을 더 포함하는 발광 소자
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제 6항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, GaAs, 금속성 기판 중 어느 하나인 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 제2 도전성 반도체층 상에 전도성 지지부재를 포함하는 발광 소자
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기판 상에 상기 기판을 노출시키는 패턴을 가지는 마스크층을 형성하는 단계;상기 패턴을 통하여 노출된 상기 기판에 나노로드 및 씨드층을 포함하는 나노로드 집합체를 성장하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계; 및상기 나노로드 집합체 위에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함하고,상기 발광 구조물 하부에 상기 나노로드 집합체 전부가 배치되는 발광 소자 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 발광 구조물을 형성하는 단계 전에, 상기 기판 상에 비전도성 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 나노로드 집합체를 성장한 후,상기 나노로드 집합체에 에칭을 실시하여 상기 씨드층을 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 에칭은 반응성 이온 식각을 포함하는 건식 식각 방법에 의해 실시되는 발광 소자 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 에칭을 실시하는 경우,상기 나노로드 집합체의 최초 길이는 얻고자 하는 제1 길이보다 긴 제2 길이로 형성되는 발광 소자 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 나노로드 집합체는 60℃ 내지 200℃ 에서 형성되는 발광 소자 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 나노로드 집합체는 화학 증착법, 플라즈마 화학 증착법, 스퍼터링법, 열 또는 전자빔 증발법, 펄스레이저 증착법, 기상 이송법, 유기금속 화학 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 성장된 발광 소자 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 발광 구조물 상에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 및상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 기판을 제거한 후,상기 나노로드 집합체에 에칭을 실시하여 상기 나노로드 집합체의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법
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