1 |
1
기판 상에 형성된 후면전극;
상기 후면전극 상에 형성된 광 흡수층;
상기 후면전극과 상기 광 흡수층 사이에 배치되며, 상기 후면전극의 표면상에 형성된 합금막;
상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층;
상기 광 흡수층, 버퍼층 및 합금막을 관통하여 상기 후면전극을 노출시키는 관통홀;
상기 후면전극이 단차를 가지도록 상기 관통홀 아래에 형성된 리세스 홈; 및
상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극을 포함하고,
상기 관통홀 측벽 중 적어도 어느 하나의 영역에는 곡면형태의 홈이 형성된 것을 포함하는 태양전지
|
2 |
2
제1항에 있어서,
상기 전면전극으로부터 연장되며 상기 관통홀 및 리세스 홈 내측에 형성된 접속배선을 포함하는 태양전지
|
3 |
3
제1항에 있어서,
상기 합금막은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)층인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
4 |
4
제1항에 있어서,
상기 리세스 홈에 의하여 노출된 상기 후면전극의 저항은 상기 합금막의 저항보다 낮은 태양전지
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
제1항에 있어서,
상기 리세스 홈의 바닥면은 곡면 형태로 형성된 것을 포함하는 태양전지
|
7 |
7
기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;
상기 후면전극 상에 광 흡수층을 형성하고, 상기 후면전극과 상기 광 흡수층의 상호 반응에 의하여 상기 후면전극의 표면에 합금막이 형성되는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 후면전극이 일부 노출되도록 상기 광 흡수층, 버퍼층 및 합금막을 관통하는 관통홀을 형성하는 단계;
상기 관통홀 바닥면의 상기 후면전극의 일부를 제거하여 리세스 홈을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 전면전극을 형성하고, 상기 전면전극 물질이 상기 관통홀 및 리세스 홈에 갭필되어 접속배선을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 관통홀 및 리세스 홈은 동시에 형성되고, 레이저 공정에 의하여 스크라이빙되며, 상기 관통홀의 측벽 중 적어도 어느 하나의 영역에는 곡면 형태의 홈이 형성되고,
상기 리세스 홈의 바닥면은 곡면 형태로 형성되는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
|
8 |
8
제7항에 있어서,
상기 후면전극은 몰리브덴(Mo)으로 형성되고, 상기 광 흡수층은 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 화합물로 형성되며,
상기 광 흡수층에 대한 셀레니제이션 공정을 통해 상기 합금막은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)층으로 형성되는 태양전지의 제조방법
|
9 |
9
삭제
|
10 |
10
삭제
|