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기판 상에 배치된 몰리브덴 제1후면전극;
상기 제1후면전극 상에 배치된 제2후면전극;
상기 제2후면전극 상에 배치된 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 배치된 버퍼층;
상기 버퍼층 상에 배치된 전면전극을 포함하며,
상기 제2후면전극은 M(금속원소)-VIb(6족원소)-VIb(6족원소) 형태의 화합물인 것을 포함하는 태양전지
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2
제 1항에 있어서,
상기 제2후면전극은 상기 제1후면전극의 물질을 포함하는 태양전지
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제 1항에 있어서,
상기 제2후면전극은 황(S), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te)을 포함하는 6족 원소(VIb) 중 적어도 2종 이상의 물질이 상기 제1후면전극과 반응하여 화합물을 이루는 것을 포함하는 태양전지
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제 1항에 있어서,
상기 제2후면전극은 MoSxSe2-x(x=0
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제 1항에 있어서,
상기 버퍼층은 황화 아연(ZnS)층을 포함하는 태양전지
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제 1항에 있어서,
상기 광 흡수층은 CIGSSe층이 상기 제2후면전극과 접하는 것을 포함하는 태양전지
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7
기판 상에 몰리브덴 제1후면전극을 형성하는 단계;
상기 제1후면전극 상에 제2후면전극을 형성하는 단계;
상기 제2후면전극 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 상에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제2후면전극은 M(금속원소)-VIb(6족원소)-VIb(6족원소) 형태의 화합물인 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 제2후면전극은 상기 제1후면전극의 물질을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 제2후면전극은 황(S), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te)을 포함하는 6족 원소(VIb) 중 적어도 2종 이상의 물질이 상기 제1후면전극과 반응하여 화합물을 이루는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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10
제 7항에 있어서,
상기 제2후면전극은 MoSxSe2-x(x=0
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제 7항에 있어서,
상기 버퍼층은 황화 아연(ZnS)층을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 광 흡수층은 CIGSSe층이 상기 제2후면전극과 접하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 광 흡수층 형성시, 황(S)과 셀레늄(Se) 소스(source)를 제공하여,
상기 광 흡수층 전체가 CIGSSe의 단독층으로 형성된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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