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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015059049
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는 기판 상에 형성되고, 제1 관통홀에 의하여 상호 분리된 후면전극층; 상기 제1 관통홀을 포함하는 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층; 상기 후면전극층 상에 형성된 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 후면전극층을 노출시키는 제2 관통홀; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함하고, 상기 제1 관통홀은 상기 기판이 단차를 가지도록 상기 제1 관통홀 하부로 연장된 제1 리세스홈을 포함하고, 상기 제1 리세스홈은 바닥면이 각을 이루는 역삼각의 형태의 홈으로 형성된 것을 포함한다. 태양전지, 후면전극, 광 흡수층
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0463(2013.01) H01L 31/0463(2013.01) H01L 31/0463(2013.01) H01L 31/0463(2013.01) H01L 31/0463(2013.01)
출원번호/일자 1020090105426 (2009.11.03)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1091357-0000 (2011.12.01)
공개번호/일자 10-2011-0048732 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20111207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.03)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배도원 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0675478-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0022046-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0172108-85
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0395093-50
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0395092-15
8 등록결정서
Decision to grant
2011.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0682588-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고, 제1 관통홀에 의하여 상호 분리된 후면전극층; 상기 제1 관통홀을 포함하는 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층; 상기 후면전극층 상에 형성된 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 후면전극층을 노출시키는 제2 관통홀; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함하고, 상기 제1 관통홀은 상기 기판이 단차를 가지도록 상기 제1 관통홀 하부로 연장된 제1 리세스홈을 포함하고, 상기 제1 리세스홈의 바닥면은 역삼각 형태의 홈으로 형성된 것을 포함하는 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제1 리세스홈의 바닥면은 10~170°의 각을 이루는 태양전지
3 3
제 1항에 있어서, 상기 후면전극층과 광 흡수층의 계면에는 합금층이 더 형성되고, 상기 합금층은 몰리브덴(Mo) 또는 셀레나이드(Se)를 포함하는 태양전지
4 4
제 3항에 있어서, 상기 합금층은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)층을 포함하는 태양전지
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제2 관통홀은 상기 후면전극층이 단차를 가지도록 상기 제2 관통홀 하부로 연장된 제2 리세스홈을 포함하고, 상기 제2 리세스홈의 바닥면은 역삼각 형태의 홈으로 형성된 것을 포함하는 태양전지
6 6
제 5항에 있어서, 상기 제2 리세스홈의 바닥면은 10~170°의 각을 이루는 태양전지
7 7
제 1항에 있어서, 상기 전면전극층에서 연장되고 상기 제2 관통홀을 통해 상기 후면전극층과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 접속배선을 포함하는 태양전지
8 8
기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 기판이 선택적으로 노출되도록 상기 후면전극층에 제1 관통홀을 형성하는 단계; 상기 제1 관통홀을 포함하는 상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 후면전극이 노출되도록 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하는 제2 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 관통홀을 형성할 때 상기 기판이 선택적으로 식각되어 상기 제1 관통홀의 하부에 제1 리세스홈을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 리세스홈의 바닥면은 역삼각 형태의 홈으로 형성된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제1 관통홀 및 제1 리세스홈은 회전하는 팁(tip)을 이용하여 스크라이빙(scribing) 공정을 진행하여 형성되는 태양전지의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 팁은 끝이 뾰족한 다각뿔 또는 원뿔형으로 형성되며, 상기 팁이 다각뿔인 경우, 5각~10각으로 형성된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
11 11
제 8항에 있어서, 상기 제1 리세스홈의 바닥면은 10~170°의 각을 이루는 태양전지의 제조방법
12 12
제 8항에 있어서, 상기 광 흡수층을 형성할 때, 상기 광 흡수층과 상기 후면전극층의 계면에 금속간 화합물층인 합금층이 더 형성되고, 상기 합금층은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)층을 포함하는 태양전지의 제조방법
13 13
제 8항에 있어서, 상기 제2 관통홀은 회전하는 팁(tip)을 이용하여 스크라이빙(scribing) 공정을 진행하여 형성되고, 상기 제2 관통홀을 형성할 때, 상기 제2 관통홀 하부에 상기 후면전극층의 일부가 제거되어 바닥면이 역삼각 형태의 제2리세스홈이 형성되는 태양전지의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 제2 리세스홈의 바닥면은 10~170°의 각을 이루는 태양전지의 제조방법
15 15
제 8항에 있어서, 상기 전면전극층을 형성할 때 상기 제2 관통홀에 상기 전면전극층이 갭필되고 상기 후면전극층과 직접 접촉되어 전기적으로 연결되는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.