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제1열팽창 계수를 갖는 기판;상기 기판 위에 서로 이격된 제2열팽창 계수를 갖는 복수의 제1철 패턴; 및상기 기판 및 상기 제1철 패턴의 위에 형성된 화합물 반도체층을 포함하며,상기 화합물 반도체층은 상기 기판의 제1열 팽창계수와 상기 제2열 팽창 계수의 사이의 제3열 팽창 계수를 갖고,상기 화합물 반도체층은 상기 기판 및 상기 제1철 패턴의 위에 형성된 제1화합물 반도체층; 상기 제1화합물 반도체층 위에 서로 이격되게 형성된 제2철 패턴; 상기 제1화합물 반도체층 및 상기 제2철 패턴 위에 형성된 제2화합물 반도체층을 포함하며,상기 제2철 패턴은 사파이어(Al2O3), AlN, ZnO, Si 재질 중 어느 하나로 형성되는 반도체 발광소자
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제1열팽창 계수를 갖는 기판;상기 기판 위에 서로 이격된 제2열팽창 계수를 갖는 복수의 제1철 패턴; 및상기 기판 및 상기 제1철 패턴의 위에 형성된 화합물 반도체층을 포함하며,상기 화합물 반도체층은 상기 기판의 제1열 팽창계수와 상기 제2열 팽창 계수의 사이의 제3열 팽창 계수를 갖고,상기 기판은 Si, ZnO, 및 AlN 물질 중 어느 하나이며,상기 제1철 패턴은 사파이어(Al2O3) 물질인 반도체 발광소자
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제1열팽창 계수를 갖는 기판;상기 기판 위에 서로 이격된 제2열팽창 계수를 갖는 복수의 제1철 패턴; 및상기 기판 및 상기 제1철 패턴의 위에 형성된 화합물 반도체층을 포함하며,상기 화합물 반도체층은 상기 기판의 제1열 팽창계수와 상기 제2열 팽창 계수의 사이의 제3열 팽창 계수를 갖고,상기 화합물 반도체층은 상기 기판 및 상기 제1철 패턴 위에 형성된 제1화합물 반도체층; 상기 제1화합물 반도체층 위에 MgN 씨드 또는 Mg 클러스터로 이루어진 복수의 제1 클러스터; 상기 제1화합물 반도체층 위에 형성된 제2화합물 반도체층; 상기 복수의 제1 클러스터 위에 형성된 에어 갭부; 상기 제2화합물 반도체층 및 상기 에어 갭부 위에 형성된 제3화합물 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1철 패턴은 1nm ~ 100um의 두께 또는 직경을 갖는 반도체 발광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 상기 기판 및 상기 제1철 패턴과 접촉되는 2족 내지 6족 화합물 반도체를 이용한 언도프드 반도체층, 부도체층 또는 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조의 발광 구조물을 포함하는 반도체 발광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 상기 기판과 접촉되는 제1접촉 영역과, 상기 제1철 패턴과 접촉되는 제2접촉 영역에 서로 상응하는 응력이 작용하는 반도체 발광소자
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제2항에 있어서, 상기 기판 위에 상기 제1철 패턴과 교대로 어레이된 복수의 제3철 패턴을 포함하고, 상기 제3철 패턴은 상기 화합물 반도체층 위에 배치된 반도체 발광소자
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제10항에 있어서, 상기 제3철 패턴은 상기 기판과 동일한 재질로 형성되는 반도체 발광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1철 패턴은 원형, 다각형 또는 스트라이프 형상을 포함하는 반도체 발광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1철 패턴은 상기 기판 위에 상면이 노출된 임베디드 형태로 형성되는 반도체 발광소자
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제1열 팽창 계수를 갖는 기판 위에 제2열 팽창 계수를 갖는 복수의 제1철 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 제1철 패턴의 위에 3족-5족 원소의 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 화합물 반도체층의 형성시 상기 기판과 접촉되는 제1접촉 영역과, 상기 제1철 패턴과 접촉되는 제2접촉 영역에서 서로 상반되는 응력이 작용하고,상기 기판은 AlN, ZnO, Si 중 어느 하나이며, 상기 제1철 패턴은 사파이어(Al2O3) 재질인 반도체 발광소자 제조방법
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제1열 팽창 계수를 갖는 기판 위에 제2열 팽창 계수를 갖는 복수의 제1철 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 제1철 패턴의 위에 3족-5족 원소의 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 화합물 반도체층의 형성시 상기 기판과 접촉되는 제1접촉 영역과, 상기 제1철 패턴과 접촉되는 제2접촉 영역에서 서로 상반되는 응력이 작용하고,상기 기판은 사파이어(Al2O3) 재질이며,상기 제1철 패턴은 AlN, ZnO, Si 중 어느 하나이고,상기 화합물 반도체층은 상기 기판 위에 형성된 언도프드 반도체층 또는 N형 반도체층을 포함하는 제1화합물 반도체층; 상기 제1화합물 반도체층 위에 발광 구조물을 포함하며,상기 제1화합물 반도체층 위에 배치되며 상기 제1철 패턴 위치와 어긋나게 배치되는 제2철 패턴을 형성하며, 상기 제2철 패턴은 사파이어(Al2O3) AlN, ZnO, Si 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 상기 기판 위에 형성된 언도프드 반도체층 또는 N형 반도체층을 포함하는 제1화합물 반도체층; 상기 제1화합물 반도체층 위에 발광 구조물을 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 제1화합물 반도체층 위에 배치되며 상기 제1철 패턴 위치와 어긋나게 배치되는 제2철 패턴을 형성하며, 상기 제2철 패턴은 사파이어(Al2O3) AlN, ZnO, Si 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 화합물 반도체층의 성장시 상기 기판과 접촉되는 제1접촉 영역에서의 신장 응력과, 상기 제1철 패턴과 접촉되는 제2접촉 영역에서의 압축 응력이 서로 상쇄되는 반도체 발광소자 제조방법
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