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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015059058
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성되고 제1 관통홀에 의하여 상호 분리된 후면전극; 상기 제1 관통홀과 제1 갭을 가지도록 상기 후면전극 상에 형성된 제1 마스크 패턴; 상기 제1 마스크 패턴과 제2 갭을 가지도록 상기 후면전극 상에 형성된 제2 마스크 패턴; 상기 제1 관통홀을 포함하는 상기 후면전극 상에 형성되고, 상기 제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴 보다 낮은 높이로 형성된 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 형성되고, 제1 및 제2 마스크 패턴 보다 낮은 높이로 형성된 버퍼층; 상기 제1 마스크 패턴의 제거에 의해 형성된 제2 관통홀; 및 상기 제2 관통홀을 포함하는 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극을 포함한다. 상기 제2 관통홀을 통해 상기 전면전극과 상기 후면전극이 직접 접촉되어 컨택특성을 향상시킬 수 있다. 태양전지, 태양전지 셀, 관통홀
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0463(2013.01) H01L 31/0463(2013.01) H01L 31/0463(2013.01) H01L 31/0463(2013.01)
출원번호/일자 1020090104466 (2009.10.30)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1091379-0000 (2011.12.01)
공개번호/일자 10-2011-0047724 (2011.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20111207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임진우 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0669822-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0123629-12
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0329676-87
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0329675-31
6 등록결정서
Decision to grant
2011.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0649025-48
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고 제1 관통홀에 의하여 상호 분리된 후면전극; 상기 제1 관통홀과 제1 갭을 가지도록 상기 후면전극 상에 형성된 제1 마스크 패턴; 상기 제1 마스크 패턴과 제2 갭을 가지도록 상기 후면전극 상에 형성된 제2 마스크 패턴; 상기 제1 관통홀을 포함하는 상기 후면전극 상에 형성되고, 상기 제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴 보다 낮은 높이로 형성된 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 형성되고, 제1 및 제2 마스크 패턴 보다 낮은 높이로 형성된 버퍼층; 상기 제1 마스크 패턴의 제거에 의해 형성된 제2 관통홀; 및 상기 제2 관통홀을 포함하는 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴은 절연성 물질로 형성된 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴은 열경화성 수지 또는 광 경화성 수지로 형성된 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 후면전극과 상기 광 흡수층이 접하는 계면에만 선택적으로 형성된 합금막을 포함하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 전면전극은 상기 제2 관통홀을 통해 상기 후면전극 표면과 직접 접촉하는 태양전지
6 6
기판 상에 제1 관통홀에 의하여 분리된 후면전극을 형성하는 단계; 상기 제1 관통홀과 제1 갭을 가지는 제1 마스크 패턴 및 상기 제1 마스크 패턴과 제2 갭을 가지는 제2 마스크 패턴을 상기 후면전극 상에 형성하는 단계; 상기 제1 관통홀을 포함하는 후면전극 상에 형성되고, 상기 제1 및 제2 마스크 패턴의 표면을 노출시키는 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 형성되고 상기 제1 및 제2 마스크 패턴의 표면을 노출시키는 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 후면전극이 노출되도록 상기 제1 마스크 패턴을 제거하고 제2 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 제2 관통홀을 포함하는 버퍼층 상에 전면전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴은 광 경화성 또는 열 경화성 수지로 형성되는 태양전지의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 포토레지스트막을 상기 후면전극을 포함하는 상기 기판 상에 코팅하는 단계; 및 상기 포토레지스트막에 대한 선택적 노광 공정을 통해 형성되는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 광 흡수층은 전해도금공정(Electro plating)을 통해 형성되는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 전면전극을 형성하는 단계는, 상기 제2 관통홀이 갭필되도록 상기 제2 마스크 패턴을 포함하는 상기 버퍼층 상에 투명전극물질을 증착하는 단계; 및 상기 제2 마스크 패턴의 표면에 형성된 투명전극물질을 플라즈마 트리트 먼트 공정에 의하여 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.