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웨이퍼 처리 장치에 있어서,
처리 대상인 웨이퍼가 수용되어 처리되는 처리조;
상기 처리조의 내부에 회전가능하게 설치되고, 표면에는 웨이퍼를 상기 처리조의 바닥면에 수직한 방향으로 세워서 지지하는 복수의 슬롯이 형성된 봉상의 웨이퍼 지지봉; 및
상기 웨이퍼 지지봉에 연결되어 상기 웨이퍼 지지봉을 회전시킴으로써 상기 웨이퍼를 원주 방향으로 회전시키는 회전 수단;을 구비하고,
상기 웨이퍼 지지봉에는, 상기 웨이퍼에 처리 유체를 분사하는 처리 유체 분사구; 및 상기 처리 유체 분사구로 처리 유체를 공급하는 처리 유체 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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제1항에 있어서,
상기 처리 유체 분사구는 상기 슬롯과 슬롯 사이에 형성되어 상기 웨이퍼의 표면으로 처리 유체를 분사하는 제1 처리 유체 분사구를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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3
제2항에 있어서,
상기 처리 유체 분사구는, 상기 슬롯에 형성되어 상기 웨이퍼의 에지로 처리 유체를 분사하는 제2 처리 유체 분사구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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4
제1항에 있어서,
상기 처리 유체 유로는 상기 웨이퍼 지지봉의 내부에 형성되고,
상기 처리 유체 분사구는 상기 처리 유체 유로를 중심으로 방사상으로 형성되어 있어, 처리 유체를 방사상으로 분사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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5
제4항에 있어서,
상기 처리 유체 유로는 일부분이 개방된 처리 유체 유로 외벽에 의해 한정되고,
상기 처리 유체 유로 외벽 및 상기 웨이퍼 지지봉의 상기 처리 유체 유로 외벽 이외의 부분 중 어느 일방은 고정되고 타방이 회전 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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6
제1항에 있어서,
상기 웨이퍼에 메가소닉을 인가하는 메가소닉 발진기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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7
제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 지지봉은 상기 웨이퍼의 둘레를 따라 복수개가 서로 평행하게 배치되어 배럴을 구성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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8
제7항에 있어서,
상기 배럴을 상기 처리조 내부에서 상하 방향으로 요동시키는 배럴 요동 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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9
제1항 또는 제7항에 있어서,
상기 웨이퍼 지지봉 하부에 웨이퍼 처리액을 공급하는 처리액 공급수단; 및
상기 웨이퍼 지지봉과 처리액 공급수단의 사이에 상기 웨이퍼 처리액을 확산시키는 확산판;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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10
제9항에 있어서,
상기 확산판은, 상면, 하면 및 측면을 가지고, 상기 상면과 하면을 관통하는 다수의 처리액 통공이 형성되어 있고, 상기 상면, 하면 및 측면과 상기 처리액 통공의 내벽에 의해 한정되는 내부 공간이 형성되어 있으며, 상기 내부 공간에 기체를 공급하는 기체 공급부를 가지고, 상기 상면에서 상기 처리액 통공이 형성되어 있지 않는 부분에 상기 상면을 관통하여 상기 기체 공급부에 의해 상기 내부 공간으로 공급되는 기체를 분출하는 다수의 기체 분출구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치
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11
각각 길이방향에 수직한 방향으로 웨이퍼를 세워서 장착하는 복수의 슬롯이 표면에 형성되고, 서로 평행하게 배치된 복수의 웨이퍼 지지봉;
상기 복수의 웨이퍼 지지봉의 양단부를 각각 회전가능하게 고정하는 양측판; 및
상기 웨이퍼 지지봉을 회전시킴으로써 상기 웨이퍼를 원주 방향으로 회전시키는 회전 수단;을 구비하고,
상기 웨이퍼 지지봉에는, 상기 웨이퍼에 처리 유체를 분사하는 처리 유체 분사구; 및 상기 처리 유체 분사구로 처리 유체를 공급하는 처리 유체 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 배럴
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12
제11항에 있어서,
상기 처리 유체 분사구는 상기 슬롯과 슬롯 사이에 형성되어 상기 웨이퍼의 표면으로 처리 유체를 분사하는 제1 처리 유체 분사구를 포함하는 것을 특징으로 하는 배럴
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13
제12항에 있어서,
상기 처리 유체 분사구는, 상기 슬롯에 형성되어 상기 웨이퍼의 에지로 처리 유체를 분사하는 제2 처리 유체 분사구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배럴
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14
제11항에 있어서,
상기 처리 유체 유로는 상기 웨이퍼 지지봉의 내부에 형성되고,
상기 처리 유체 분사구는 상기 처리 유체 유로를 중심으로 방사상으로 형성되어 있어, 처리 유체를 방사상으로 분사하는 것을 특징으로 하는 배럴
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15
제14항에 있어서,
상기 처리 유체 유로는 일부분이 개방된 처리 유체 유로 외벽에 의해 한정되고,
상기 처리 유체 유로 외벽 및 상기 웨이퍼 지지봉의 상기 처리 유체 유로 외벽 이외의 부분 중 어느 일방은 고정되고 타방이 회전 가능한 것을 특징으로 하는 배럴
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각각 회전 가능하고 처리조 내에 서로 평행하게 배치되는 복수의 웨이퍼 지지봉에 복수의 웨이퍼를 상기 웨이퍼 지지봉의 길이방향을 따라 서로 평행하게 장착하는 단계; 및
상기 웨이퍼 지지봉을 회전시킴으로써 상기 웨이퍼를 원주 방향으로 회전시키면서 웨이퍼에 처리 유체를 분사하여 웨이퍼를 처리하는 단계;를 포함하고,
상기 웨이퍼를 처리하는 단계에서는, 상기 웨이퍼 지지봉 내부에 형성된 처리 유체 유로를 통하여 처리 유체를 공급하고, 상기 웨이퍼 지지봉 표면에 형성된 처리 유체 분사구를 통하여 상기 처리 유체를 상기 웨이퍼에 분사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법
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17
제16항에 있어서,
상기 처리 유체 분사구가 상기 웨이퍼 지지봉의 슬롯과 슬롯 사이에 형성되어 상기 처리 유체가 웨이퍼의 표면으로 분사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법
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18
제17항에 있어서,
상기 처리 유체 분사구가 상기 웨이퍼 지지봉의 슬롯에도 형성되어 상기 처리 유체가 웨이퍼의 에지로도 분사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법
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19
제16항에 있어서,
상기 처리 유체 분사구가 상기 처리 유체 유로를 중심으로 방사상으로 형성되어, 상기 처리 유체가 방사상으로 분사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법
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20
제16항에 있어서,
상기 웨이퍼를 처리하는 중에 상기 웨이퍼에 메가소닉을 인가하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법
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제16항에 있어서,
상기 웨이퍼 지지봉 하부에서 웨이퍼 처리액을 상기 처리조 내부로 확산시키면서 공급하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법
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제21항에 있어서,
상기 웨이퍼를 처리하는 중에, 확산되는 상기 웨이퍼 처리액의 흐름과 간섭되지 않게 상기 웨이퍼를 향하여 기체를 분출시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법
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23
제16항에 있어서,
상기 웨이퍼를 처리하는 중에 상기 복수의 웨이퍼 지지봉을 상하로 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법
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