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기판 상에 형성된 후면전극층;
상기 후면전극층 상에 형성되고, Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅵ계 화합물을 포함하는 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층; 및
상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함하고,
상기 광 흡수층에서 홀(hole)의 농도는 1015~1017atom/㎤인 태양전지
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제1항에 있어서,
상기 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅵ계 화합물은 구리-아연-인듐-갈륨-셀레나이드계 화합물, 구리-아연-갈륨-셀레나이드계 화합물 및 구리-아연-인듐-셀레나이드계 화합물 중 어느 하나인 것을 포함하는 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서,
상기 광 흡수층에서 상기 Ⅱ족 원소와 Ⅲ족 원소의 농도비는0
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 광 흡수층과 상기 후면전극층 사이에 Ⅱ족 원소를 포함하는 합금층이 형성된 태양전지
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6
제5항에 있어서,
상기 합금층은 아연, 구리, 갈륨 및 인듐 중 어느 적어도 어느 하나와 몰리브덴이 결합된 금속간 화합물층인 것을 포함하는 태양전지
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7
제5항에 있어서,
상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하고 상기 합금층을 노출시키는 관통홀을 포함하며,
상기 전면전극층에서 연장되고 상기 관통홀을 통해 상기 합금층과 접하는 접속배선을 더 포함하는 태양전지
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8
기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
상기 후면전극층 상에 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅵ계 화합물을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광 흡수층을 형성하는 단계는,
상기 후면전극층 상에 Ⅱ족 원소를 증착하고 상기 후면전극층과의 계면에 합금층을 형성하는 단계;
상기 합금층 상에 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ계 화합물 또는 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ-Ⅵ계 화합물을 증착하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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9
제8항에 있어서,
상기 광 흡수층은 상기 후면전극층 상에 구리(Cu), 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 증착하여 형성되는 태양전지의 제조방법
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삭제
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삭제
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제8항에 있어서,
상기 광 흡수층에서 Ⅱ족 원소와 Ⅲ족 원소의 농도비는 0
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13
제8항에 있어서,
상기 버퍼층을 형성한 다음, 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 합금층을 선택적으로 노출시키는 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 전면전극층 물질이 상기 관통홀을 메우도록 형성되어 상기 합금층과 접속하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 광 흡수층을 형성할 때 상기 Ⅱ족 원소의 증착량을 증가시키고, 상기 광 흡수층에서 홀(hole) 농도를 증가시키는 태양전지의 제조방법
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