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질소 원자가 도핑된 탄소나노튜브를 포함하는 다이오드

  • 기술번호 : KST2015059166
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 캡핑부에 하나 이상의 질소 원자가 도핑되어 있는 2개의 탄소나노튜브를 포함하고, 상기 탄소나노튜브는 각각의 캡핑부가 서로 대향된 상태로 배치되어 있는 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 다이오드에서는, 탄소나노튜브에 도핑된 질소 원자가 페르미 준위 부근에 새로운 에너지 준위를 생성시킨다. 본 발명의 다이오드에서 질소 원자에 의해 생성된 에너지 준위는 전도 채널로 작용하고, 이에 따라 대향 배치된 탄소나노튜브 사이에서 터널링 전류 및 NDR 거동이 나타날 수 있다.탄소나노튜브, 다이오드, 질소 원자, 풀러렌, 금속성, 암체어, 지그재그, 에자키
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) H01L 29/861 (2006.01)
CPC H01L 51/0575(2013.01) H01L 51/0575(2013.01)
출원번호/일자 1020090106637 (2009.11.05)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1296957-0000 (2013.08.08)
공개번호/일자 10-2011-0049568 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.04)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상욱 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0681784-18
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0771910-78
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0056564-34
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0612188-50
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1045295-70
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0039421-52
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0136221-25
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0227073-76
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2013.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0028590-95
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0324196-81
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0324192-09
13 등록결정서
Decision to grant
2013.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0544510-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 일말단이 캡핑되어 캡핑부가 형성되어 있는 제 1 및 제 2 탄소나노튜브로서, 상기 일말단이 캡핑되어 형성된 캡핑부의 최상단에 위치하는 탄소 고리에 포함되는 탄소 원자로 이루어진 평면을 제 1 탄소층이라고 하고, 상기 탄소나노튜브에서 상기 캡핑부의 반대 방향으로 상기 제 1 탄소층에 속하는 탄소 원자와 직접 결합하고 있는 탄소 원자들로 이루어지는 평면을 제 2 탄소층이라고 하며, 상기 탄소나노튜브에서 상기 캡핑부의 반대 방향으로 상기 제 2 탄소층에 속하는 탄소 원자와 직접 결합하고 있는 탄소 원자들로 이루어지는 평면을 제 3 탄소층이라고 하고, 상기 탄소나노튜브에서 상기 캡핑부의 반대 방향으로 상기 제 3 탄소층에 속하는 탄소 원자와 직접 결합하고 있는 탄소 원자들로 이루어지는 평면을 제 4 탄소층이라고 하며, 상기 탄소나노튜브에서 상기 캡핑부의 반대 방향으로 상기 제 4 탄소층에 속하는 탄소 원자와 직접 결합하고 있는 탄소 원자들로 이루어지는 평면을 제 5 탄소층이라고 한 때에 상기 제 2 탄소층 내지 제 5 탄소층에 속하는 탄소 원자 중 2개 이상에 도핑되어 있는 질소 원자를 각각 포함하는 제 1 및 제 2 탄소나노튜브를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 탄소나노튜브는 각각의 캡핑부가 서로 대향된 상태로 배치되어 있는 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 탄소나노튜브가 금속성 탄소나노튜브인 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 탄소나노튜브가 암체어 구조 또는 지그재그 구조를 가지는 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 탄소나노튜브는 키랄 벡터 지수가 (a, a) 또는 (b, 0)이며, 상기 키랄 벡터 지수에서 a 및 b는 하기 일반식 1 또는 2의 조건을 만족하는 다이오드: [일반식 1]a = 5 내지 16,[일반식 2] b = 3 × j상기에서 j는 3 내지 10 의 정수를 나타낸다
5 5
제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 탄소나노튜브는 풀러렌 반구에 의해 캡핑되어 있는 다이오드
6 6
제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 탄소나노튜브는 각각의 캡핑부 최상단에 5각형 탄소 고리가 존재하는 다이오드
7 7
제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 탄소나노튜브는 각각의 캡핑부 최상단에 6각형 탄소 고리가 존재하는 다이오드
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제 1 항에 있어서, 질소 원자는 제 2 탄소층에 속하는 탄소 원자 중 2개 이상에 도핑되어 있는 다이오드
15 15
제 1 항에 있어서, 탄소 원자에 도핑되어 있는 2개 이상의 질소 원자는, 상기 질소 원자 중의 어느 하나가 제 2 내지 제 5 탄소층에 속하는 탄소 원자 중의 어느 하나의 탄소 원자에 도핑되고, 다른 질소 원자는 상기 어느 하나의 탄소 원자가 속하는 탄소층에서 상기 어느 하나의 탄소 원자의 바로 옆에 위치하는 탄소 원자에 도핑되는 형태로 존재하는 다이오드
16 16
제 1 항에 있어서, 멀티 스위칭 전류-전압 특성을 나타내는 다이오드
17 17
제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 탄소나노튜브의 캡핑부 사이의 거리가 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.