요약 | 본 발명은 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 투명 기판을 준비하는 단계; 상기 투명 기판 상에, 상 분리 현상을 이용하여 제 1 매질과 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은 제 2 매질이 혼합된 형태를 갖는 제 1 광 경로 조절층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 광 경로 조절층 상에 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함한다. 상기와 같은 본 발명은, 저렴한 비용으로 간단하게 광 추출 효율이 향상된 유기 발광 다이오드를 제조할 수 있는 이점이 있다. 상 분리, 광 추출 효율, 유기 발광 다이오드 |
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Int. CL | H01L 51/52 (2006.01) |
CPC | H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090111625 (2009.11.18) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-1296684-0000 (2013.08.08) |
공개번호/일자 | 10-2011-0054836 (2011.05.25) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130819) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.11.18) |
심사청구항수 | 20 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 조두희 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 이정익 | 대한민국 | 경기도 군포시 |
3 | 신진욱 | 대한민국 | 인천광역시 남동구 |
4 | 이종희 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
5 | 추혜용 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
6 | 이주원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
7 | 한준한 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국전자통신연구원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.11.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0708780-14 |
2 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.02.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0124251-55 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.02.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0099417-11 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0304828-70 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0304742-42 |
6 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0538505-51 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 위치되며, 상 분리 현상에 의하여 제 1 매질과 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은 제 2 매질이 반복 배열된 형태를 갖는 제 1 광 경로 조절층; 및 상기 제 1 광 경로 조절층 상에 순차적으로 적층된 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 |
2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 투명 기판과 상기 제 1 광 경로 조절층 사이에 형성되는 제 1 굴절층 및 상기 제 1 광 경로 조절층과 상기 애노드 전극 사이에 형성되는 제 2 굴절층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 |
3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 투명 기판의 하부에 형성되며, 상 분리 현상에 의하여 제 3 매질과 상기 제 3 매질보다 굴절률이 낮은 제 4 매질이 혼합된 형태를 갖는 제 2 광 경로 조절층을 더 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 |
4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 투명 기판과 상기 제 2 광 경로 조절층 사이에 형성된 제 3 굴절층을 더 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 |
5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 제 1 매질의 굴절률은 2 |
6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 제 1 매질은, 산화 주석(SnO2), 산화 티타늄(TiO2), 산화 카드뮴(CdO), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 탄탈(Ta2O3) 및 산화 하프늄(HfO2) 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 |
7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 제 2 매질은, 산화 실리콘(SiO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 규산염 유리(silicate glass) 및 산화 실리콘-산화 티타늄(SiO2-TiO2) 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어지거나, 공기와 같은 기체나 진공을 포함하는 기공과 상기 적어도 어느 하나의 물질이 혼합된 형태인상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 |
8 |
8 제 2항에 있어서, 상기 제 1 굴절층 및 상기 제 2 굴절층은 산화 주석(SnO2), 산화 티타늄(TiO2), 산화 카드뮴(CdO), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 탄탈(Ta2O3), 산화 하프늄(HfO2), 산화 실리콘-산화 티타늄(SiO2-TiO2), 산화 알루미늄-산화티타늄(Al2O3-TiO2), 규산염 유리(silicate glass) 및 산화 실리콘-산화 알루미늄(SiO2-Al2O3) 고용체 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어지고, 상기 제 1 굴절층은 상기 투명 기판보다 굴절률이 높고 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮으며, 상기 제 2 굴절층은 상기 애노드 전극보다 굴절률이 높고 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 |
9 |
9 제 4항에 있어서, 상기 제 3 굴절층은 산화 주석(SnO2), 산화 티타늄(TiO2), 산화 카드뮴(CdO), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 탄탈(Ta2O3), 산화 하프늄(HfO2), 산화 실리콘-산화 티타늄(SiO2-TiO2), 산화 알루미늄-산화티타늄(Al2O3-TiO2), 규산염 유리(silicate glass) 및 산화 실리콘-산화 알루미늄(SiO2-Al2O3) 고용체 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어지며, 상기 투명 기판보다 굴절률이 높고 상기 제 3 매질보다 굴절률이 낮은상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 |
10 |
10 제 1항에 있어서, 상기 제 2 매질은 상기 투명 기판에 수직한 기둥 형태인상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 |
11 |
11 투명 기판을 준비하는 단계; 상기 투명 기판 상에, 상 분리 현상을 이용하여 제 1 매질과 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은 제 2 매질이 혼합된 형태를 갖는 제 1 광 경로 조절층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 광 경로 조절층 상에 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 제 1 광 경로 조절층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 매질의 전구체 및 상기 제 2 매질의 전구체가 혼합된 혼합 용액을 준비하는 단계; 상기 혼합 용액을 상기 투명 기판 상에 코팅하는 단계; 상기 단계에서 코팅된 혼합 용액을 가열함으로써 상기 혼합 용액의 겔(gel)화와 동시에 굴절률이 서로 다른 제 1 매질 및 제 2 매질로 상 분리된 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 코팅막을 하소 열처리하는 단계를 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
13 |
13 제 11항에 있어서, 상기 제 1 광 경로 조절층을 형성하는 단계 전에, 상기 투명 기판 상에 상기 투명 기판보다 굴절률이 높고 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은 제 1 굴절층을 형성하는 단계를 더 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
14 |
14 제 11항에 있어서, 상기 애노드 전극의 적층 이전에, 상기 제 1 광 경로 조절층 상에 상기 애노드 전극보다 굴절률이 높고 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은 제 2 굴절층을 형성하는 단계를 더 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
15 |
15 제 12항에 있어서, 상기 제 1 매질의 전구체는 티타늄 메톡사이드(Titanium Methoxide), 티타늄 에톡사이드(Titanium Ethoxide), 티타늄 프로폭사이드(Titanium Propoxide) 및 티타늄 부톡사이드(Titanium Butoxide) 등의 티타늄 알콕사이드(Titanium Alkoxide) 계열 물질 또는 클로로 티타늄 메톡사이드(Chloro Titanium Methoxide), 클로로 티타늄 에톡사이드(Chloro Titanium Ethoxide), 클로로 티타늄 프로폭사이드(Chloro Titanium Propoxide) 및 클로로 티타늄 부톡사이드(Chloro Titanium Butoxide) 등의 클로로 티타늄 알콕사이드(Chloro Titanium Alkoxide) 계열 물질 중 어느 하나이고, 상기 제 2 매질의 전구체는 트리알킬옥시비닐실란(Trialkyloxyvinylsilane) 계열 물질, 테트라알킬옥시실란(Tetraalkyloxysilane) 계열 물질, 알릴트리알킬실란(Allyltrialkylsilane) 계열 물질, 테트라알킬실란(Tetraalkylsilane) 계열 물질, 디페닐실란(Diphenylsilane) 계열 물질, 테트라페닐실란(Tetraphenylsilane) 계열 물질, 아미노알킬옥시실란(Aminoalkyloxysilane) 계열 물질, 실세스키옥산(Silsesquioxane) 계열 물질, 실세스키옥산-실록산(Silsesquioxane-siloxane) 계열 물질 및 실세스키옥산-실란(Silsesquioxane-silane) 계열 물질 중 어느 하나인상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
16 |
16 제 13항에 있어서, 상기 제 1 굴절층을 형성하는 단계는, 티타늄 메톡사이드(Titanium Methoxide), 티타늄 에톡사이드(Titanium Ethoxide), 티타늄 프로폭사이드(Titanium Propoxide) 및 티타늄 부톡사이드(Titanium Butoxide) 등의 티타늄 알콕사이드(Titanium Alkoxide) 계열 물질 또는 클로로 티타늄 메톡사이드(Chloro Titanium Methoxide), 클로로 티타늄 에톡사이드(Chloro Titanium Ethoxide), 클로로 티타늄 프로폭사이드(Chloro Titanium Propoxide), 클로로 티타늄 부톡사이드(Chloro Titanium Butoxide) 및 클로로 티타늄 트리이소프로폭사이드(Chloro Titanium Triisopropoxide) 등의 클로로 티타늄 알콕사이드(Chloro Titanium Alkoxide) 계열 물질의 단독 용액이나, 상기 티타늄 알콕사이드(Titanium Alkoxide) 계열 물질 또는 상기 클로로 티타늄 알콕사이드(Chloro Titanium Alkoxide) 계열 물질과 트리알킬옥시비닐실란(Trialkyloxyvinylsilane) 계열 물질, 테트라알킬옥시실란(Tetraalkyloxysilane) 계열 물질, 알릴트리알킬실란(Allyltrialkylsilane) 계열 물질, 테트라알킬실란(Tetraalkylsilane) 계열 물질, 디페닐실란(Diphenylsilane) 계열 물질, 테트라페닐실란(Tetraphenylsilane) 계열 물질, 아미노알킬옥시실란(Aminoalkyloxysilane) 계열 물질, 실세스키옥산(Silsesquioxane) 계열 물질, 실세스키옥산-실록산(Silsesquioxane-siloxane) 계열 물질 및 실세스키옥산-실란(Silsesquioxane-silane) 계열 물질 중 어느 하나의 물질이 혼합된 용액을 상기 투명 기판 상에 코팅하는 단계; 상기 단계에서 코팅된 용액을 상온에서 방치하여 겔화시키거나 가열하여 겔화시킴으로써 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 코팅막을 하소 열처리하는 단계를 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
17 |
17 제 12항에 있어서, 상기 혼합 용액의 농도 및 겔화 속도 조절을 위하여, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 및 부탄올(buthanol) 중 적어도 적어도 어느 하나와 증류수를 상기 혼합 용액에 첨가하는 단계를 더 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
18 |
18 제 12항에 있어서, 상기 혼합 용액의 겔화 속도, 상 분리 속도, 상기 제 2 매질의 형태 및 크기를 조절하기 위하여 염산(hydrochloric acid), 초산(acetic acid), 질산(nitric acid), 황산(sulfuric acid) 및 옥살산(oxalic acid) 중 적어도 어느 하나를 상기 혼합 용액에 첨가하는 단계를 더 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
19 |
19 제 12항에 있어서, 상기 혼합 용액의 점도, 겔화 속도, 상 분리 속도, 상기 제 2 매질의 형태 및 크기를 조절하기 위하여 아세틸아세톤(acetylacetone), 에틸렌글리콜(ethyleneglycol), 폴리에틸렌글리콜(Polyethyleneglycol), 폴리에틸렌옥사이드(Polyethyleneoxide), 폴리비닐알콜(Polyvinylalcohol) 및 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone) 중 적어도 어느 하나를 상기 혼합 용액에 첨가하는 단계를 더 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
20 |
20 제 11항에 있어서, 상기 투명 기판의 하부에, 상 분리 현상을 이용하여 제 3 매질과 상기 제 3 매질보다 굴절률이 낮은 제 4 매질이 혼합된 형태를 갖는 제 2 광 경로 조절층을 형성하는 단계를 더 포함하는 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US08408960 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20110115367 | US | 미국 | FAMILY |
3 | US20120156957 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2011115367 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US2012156957 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
3 | US8408960 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 한국전자통신연구원 | 정보통신연구개발사업 | 환경/감성형 OLED 면조명 기술 |
특허 등록번호 | 10-1296684-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20091118 출원 번호 : 1020090111625 공고 연월일 : 20130819 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130802 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01L 51/52 발명의 명칭 : 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20190809 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 412,500 원 | 2013년 08월 09일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2016년 07월 26일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 07월 27일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2018년 07월 27일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.11.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0708780-14 |
2 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.02.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0124251-55 |
3 | 의견제출통지서 | 2013.02.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0099417-11 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0304828-70 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0304742-42 |
6 | 등록결정서 | 2013.08.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0538505-51 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
기술번호 | KST2015059333 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국전자통신연구원 |
기술명 | 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
기술개요 |
본 발명은 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 투명 기판을 준비하는 단계; 상기 투명 기판 상에, 상 분리 현상을 이용하여 제 1 매질과 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은 제 2 매질이 혼합된 형태를 갖는 제 1 광 경로 조절층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 광 경로 조절층 상에 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함한다. 상기와 같은 본 발명은, 저렴한 비용으로 간단하게 광 추출 효율이 향상된 유기 발광 다이오드를 제조할 수 있는 이점이 있다. 상 분리, 광 추출 효율, 유기 발광 다이오드 |
개발상태 | |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415099486 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-F-016-01 |
연구과제명 | 환경/감성형OLED면조명기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200903~201402 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415131518 |
---|---|
세부과제번호 | KI002068 |
연구과제명 | 환경/감성형 OLED 면조명 기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200903~201402 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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