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유기 전계 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015059440
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 유기 전계 발광소자는 투명기판, 투명기판 위 및 상기 투명기판의 외부에 형성되고 매질과 복수 개의 기공을 포함하는 제1 및 제2 다공성 광산란층, 제1 다공성 광산란층 위에 형성된 애노드, 애노드 위에 형성된 것으로, 한 층 이상의 발광층을 포함하는 유기발광층, 유기발광층 위에 형성된 캐소드, 및 제2 다공성 광산란층과 투명기판 사이에 투명기판의 굴절률과 제2 다공성 광산란층의 매질의 굴절률의 사이값의 굴절률을 갖는 제3 광경로조절층을 포함한다. 따라서, 광추출효율을 향상시킬 수 있다.유기 전계 발광소자, 광산란층, 광추출효율
Int. CL H01L 51/52 (2006.01) H05B 33/02 (2006.01)
CPC H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01)
출원번호/일자 1020090118895 (2009.12.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1318374-0000 (2013.10.08)
공개번호/일자 10-2011-0062236 (2011.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20131016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.03)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신진욱 대한민국 인천광역시 남동구
2 조두희 대한민국 대전광역시 유성구
3 이정익 대한민국 경기도 군포시
4 이종희 대한민국 대전광역시 유성구
5 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구
6 이주원 대한민국 서울특별시 성북구
7 한준한 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0746445-14
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0087355-42
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0294945-23
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0294923-29
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0533788-93
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.08.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0795402-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0795416-55
8 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0680634-85
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판;상기 투명기판 위 및 상기 투명기판의 외부에 형성되고 매질과 복수 개의 기공을 포함하는 제1 및 제2 다공성 광산란층;상기 제1 다공성 광산란층 위에 형성된 애노드;상기 애노드 위에 형성된 것으로, 한 층 이상의 발광층을 포함하는 유기발광층;상기 유기발광층 위에 형성된 캐소드; 및상기 제2 다공성 광산란층과 상기 투명기판 사이에 상기 투명기판의 굴절률과 상기 제2 다공성 광산란층의 매질의 굴절률의 사이값의 굴절률을 갖는 제3 광경로조절층을 포함하는 유기 전계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 기공은 기판 면에 수직한 방향으로 긴 기둥모양의 형상을 갖는 유기 전계 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 다공성 광산란층의 매질은 공기보다 굴절률이 큰 유기 전계 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 다공성 광산란층의 매질은 SnO2, TiO2, CdO, ZrO2, Ta2O3, HfO2, SINx 로 구성된 군에서 선택되는 유기 전계 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 다공성 광산란층의 매질의 굴절률은 상기 애노드의 굴절률보다 큰 유기 전계 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 다공성 광산란층의 매질의 굴절률은 상기 유기발광층의 굴절률보다 큰 유기 전계 발광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 다공성 광산란층과 상기 투명기판 사이에 상기 투명기판의 굴절률과 상기 제1 다공성 광산란층의 매질의 굴절률의 사이값의 굴절률을 갖는제1 광경로조절층을 더 포함하는 유기 전계 발광소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 다공성 광산란층과 상기 애노드 사이에 상기 애노드 보다 더 큰 굴절률을 갖는 제2 광경로조절층을 더 포함하는 유기 전계 발광소자
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서, 상기 유기발광층을 보호하기 위해 상기 캐소드 위에 마련된 보호막을 더 포함하는 유기 전계 발광소자
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
투명기판을 형성하는 단계;상기 투명기판 위에 매질과 복수 개의 기공을 포함하는 다공성 광산란층을 형성하는 단계;상기 다공성 광산란층 위에 애노드를 형성하는 단계;상기 애노드 위에 한 층 이상의 발광층을 포함하는 유기발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기발광층 위에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하고,상기 다공성 광산란층을 형성하는 단계는,고굴절률 물질의 전구체 용액에 유기 고분자 입자를 분산시켜 미립자 분산 용액을 제조하는 단계;상기 미립자 분산 용액을 투명기판 위에 코팅하는 단계;상기 투명기판을 가열하여 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 코팅막 내의 상기 유기 고분자 입자를 태우거나 휘발시킴으로써 다공성 막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광소자의 제조방법
18 18
투명기판을 형성하는 단계;상기 투명기판 위에 매질과 복수 개의 기공을 포함하는 다공성 광산란층을 형성하는 단계;상기 다공성 광산란층 위에 애노드를 형성하는 단계;상기 애노드 위에 한 층 이상의 발광층을 포함하는 유기발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기발광층 위에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하고,상기 다공성 광산란층을 형성하는 단계는,고굴절률 물질의 전구체 용액에 무기 고분자 입자를 분산시켜 미립자 분산 용액을 제조하는 단계;상기 미립자 분산 용액을 투명기판 위에 코팅하는 단계;상기 투명기판을 가열하여 코팅막을 형성하는 단계; 및불산 또는 BOE(Buffered oxide etch)처리하여 상기 무기 고분자 입자를 선택적으로 식각함으로써 다공성 막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광소자의 제조방법
19 19
투명기판을 형성하는 단계;상기 투명기판 위에 매질과 복수 개의 기공을 포함하는 다공성 광산란층을 형성하는 단계;상기 다공성 광산란층 위에 애노드를 형성하는 단계;상기 애노드 위에 한 층 이상의 발광층을 포함하는 유기발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기발광층 위에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하고,상기 다공성 광산란층을 형성하는 단계는,고굴절률 물질의 전구체와 유기 고분자 물질의 전구체를 혼합하여 졸 용액을 제조하는 단계;상기 혼합된 졸 용액을 투명기판 위에 코팅하는 단계;상기 투명기판을 가열하여 상기 졸 용액 내의 상기 고굴절률 물질의 전구체와 상기 유기 고분자 물질의 전구체를 상분리시킴으로써, 상기 고굴절률 물질과 상기 유기 고분자 물질이 분리 혼합된 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 코팅막 내의 상기 유기 고분자 물질이 풍부한 상을 선택적으로 태우거나 휘발시킴으로써 다공성 막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광소자의 제조방법
20 20
투명기판을 형성하는 단계;상기 투명기판 위에 매질과 복수 개의 기공을 포함하는 다공성 광산란층을 형성하는 단계;상기 다공성 광산란층 위에 애노드를 형성하는 단계;상기 애노드 위에 한 층 이상의 발광층을 포함하는 유기발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기발광층 위에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하고,상기 다공성 광산란층을 형성하는 단계는,고굴절률 물질의 전구체와 무기 고분자 물질의 전구체를 혼합하여 졸 용액을 제조하는 단계;상기 혼합된 졸 용액을 투명기판 위에 코팅하는 단계;상기 투명기판을 가열하여 상기 졸 용액 내의 상기 고굴절률 물질의 전구체와 상기 무기 고분자 물질의 전구체를 상분리시킴으로써, 상기 고굴절률 물질과 상기 무기 고분자 물질이 분리 혼합된 코팅막을 형성하는 단계; 및불산 또는 BOE처리하여 상기 무기 고분자 물질이 풍부한 상을 선택적으로 식각함으로써 다공성 막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광소자의 제조방법
21 21
제17항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고굴절률 물질은 SnO2, TiO2, CdO, ZrO2, Ta2O3, HfO2 로 구성된 군에서 선택되는 유기 전계 발광소자의 제조방법
22 22
제17항에 있어서, 상기 유기 고분자 물질은 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethylmethacrylate) 또는 폴리스티렌(Polystyrene)인 유기 전계 발광소자의 제조방법
23 23
제19항에 있어서, 상기 유기 고분자 물질은 폴리에틸렌글리콜(Polyethyleneglycol) 또는 폴리에틸렌옥사이드(Polyethyleneoxide)인 유기 전계 발광소자의 제조방법
24 24
제18항 또는 제20항에 있어서, 상기 무기 고분자 물질은 SiO2 인 유기 전계 발광소자의 제조방법
25 25
제17항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다공성 광산란층을 형성하기 전에, 상기 투명기판 위에 상기 투명기판의 굴절률과 상기 다공성 광산란층의 매질의 굴절률의 사이값의 굴절률을 갖는제1 광경로조절층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 전계 발광소자의 제조방법
26 26
제17항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 애노드를 증착하기 전에 상기 다공성 광산란층 위에 상기 애노드보다 더 큰 굴절률을 갖는 제2 광경로조절층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 전계 발광소자의 제조방법
27 27
제17항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명기판의 외부면에 다공성 광산란층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 전계 발광소자의 제조방법
28 28
제27항에 있어서, 상기 외부 다공성 광산란층을 형성하기 전에, 상기 투명기판의 외부면에 상기 투명기판의 굴절률과 상기 다공성 광산란층의 매질의 굴절률의 사이값의 굴절률을 갖는 제3 광경로조절층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 전계 발광소자의 제조방법
29 29
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 정보통신연구개발 환경/감성형 OLED 면조명 기술