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산화세륨 입자를 포함하는 연마 입자; 피콜리닉산(picolinic acid) 및 프로피오닉산(Propionic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 첨가제; 및물을 포함하는 수용액을 포함하고,상기 수용액의 pH가 3 내지 6인 범위 내에서 상기 연마 입자 표면의 제타 전위(Zeta potential)가 20 내지 70 mV인 CMP용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,폴리비닐알콜(PVA), 에틸렌글리콜(EG), 글리세린, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리프로필렌글리콜(PPG) 및 폴리비닐피롤리돈(PVP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 비이온성 분산제를 더 포함하는 CMP용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,pH조절제를 더 포함하는 CMP용 슬러리 조성물
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제3항에 있어서,상기 pH조절제는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아수, 수산화비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨 및 탄산나트륨으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 염기성 pH조절제이거나,염산, 질산, 황산, 인산, 포름산 및 아세트산으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 산성 pH조절제를 포함하는 CMP용 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마 입자의 1 내지3 중량%;상기 첨가제의 0
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제1항에 있어서,실리콘 산화막에 대해 3500Å/min 이상의 연마율을 나타내는 CMP용 슬러리 조성물
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제6항에 있어서,STI (Shallow Trench Isolation) 공정에서, 소정의 트렌치 상에 형성된 갭필용 실리콘 산화막의 초기 단차 제거를 위해 사용되는 CMP용 슬러리 조성물
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산화세륨 입자를 포함하는 연마 입자를 정전기적 분산(electrostatic dispersion)에 의해 수용매에 분산시켜 제 1 수용액을 형성하는 단계;피콜리닉산(picolinic acid), 프로피오닉 산(Propionic acid) 및 포름산(formic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 첨가제를 포함하고, 상기 제 1 수용액과의 pH 차이가 1 이하인 제 2 수용액을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 및 제 2 수용액을 혼합하는 단계를 포함하는 제 1 항의 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 제1수용액을 형성하는 단계는 pH 조절을 통해 연마 입자를 분산하는 단계를 포함하는 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1수용액을 증류수에 희석하는 단계를 더 포함하는 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법
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비이온성 분산제의 존재 하에, 산화세륨 입자를 포함하는 연마 입자를 입체 분산 방법(steric dispersion)에 의해 수용매에 분산시켜 제 1 수용액을 형성하는 단계;피콜리닉산(picolinic acid) 및 프로피오닉 산(Propionic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 첨가제를 포함하고, 상기 제 1 수용액과의 pH 차이가 1 이하인 제 2 수용액을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 및 제 2 수용액을 혼합하는 단계를 포함하는 제 3항의 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1수용액을 증류수에 희석하는 단계를 더 포함하는 CMP용 슬러리 조성물의 제조 방법
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