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하기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 C6 ~ C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 C3 ~ C25의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C25의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C20의 아릴 티오펜기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C8 ~ C20의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 아릴아민기, -OR, -SR, -SeR, -TeR, -BRR', -AlRR', -SiRR'R", -GeRR'R", -SnRR'R", 또는 시아노기이고,상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, C1 ~ C20의 알킬기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C6 ~ C20의 아릴기 또는 C5 ~ C20의 헤테로고리기이며,Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 헤테로고리기이며, 이들은 서로 인접하는 기와 고리를 형성할 수 있고,Ar1 내지 Ar4가 아릴기인 경우, Ar1 및 Ar3은 니트릴기(-CN)로 치환된 C6 ~ C30의 아릴기이고, Ar2 및 Ar4는 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴기이다
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청구항 1에 있어서, 상기 C1 ~ C20의 알킬기는 메틸기, 에틸기 및 터셔리-부틸기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체
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청구항 1에 있어서, 상기 C6 ~C30의 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체
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청구항 1에 있어서, 상기 C3 ~ C25의 시클로알킬기는 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기인 것을 특징으로 하는 디아민 유도체
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청구항 1에 있어서, 상기 C5 ~ C20의 헤테로아릴기로는 카바졸릴기, 피리딜기, 퀴놀린기, 이소퀴놀린기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기 및 트리아진기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체
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청구항 1에 있어서, 상기 디아민 유도체는 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체:
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삭제
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제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층은 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 주입층 및 전자 수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 1 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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청구항 8에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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