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복수의 요부 및 철부를 갖는 기판;상기 요부 및 철부를 갖는 기판 상에 형성된 불규칙한 요철 구조를 갖는 제 1 반도체층;상기 제1반도체층 상에 형성된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 제2도전형 반도체층을 포함하며,상기 제1반도체층의 요철 구조 중 철 구조는 상기 기판의 요부에 의해 형성된 구조이고, 상기 제1반도체층의 요철 구조 중 요 구조는 상기 기판의 철부에 의해 형성된 구조이며,상기 기판의 철부는 상기 기판의 상부 평탄면과 상기 제 1 반도체층의 요부 사이에 질화물 구조체가 형성되는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제1반도체층은 3족-5족 원소의 언도프드 반도체층 및 제1도전형 반도체층 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제2도전형 반도체층 위에 반사 전극층 및 전도성 지지부재 중 적어도 하나를 포함하는 제2전극을 포함하는 반도체 발광소자
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제3항에 있어서, 상기 활성층과 제 2 도전형 반도체층이 제거된 제1반도체층 상에 제1전극이 형성되는 반도체 발광소자
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 질화물 구조체는 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 및 AlInN 중 어느 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 질화물 구조체는 로드 형상, 섬 형상, 뿔 형상을 선택적으로 포함하는 랜덤한 형상을 포함하며, 1um 미만의 두께로 형성되는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 실리콘 기판을 포함하는 반도체 발광소자
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기판 위에 불연속적인 복수의 질화물 구조체를 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 질화물 구조체에 대해 에칭하여 상기 질화물 구조체 사이에 존재하는 상기 기판에 요부를 형성하는 단계; 및상기 질화물 구조체 및 상기 기판의 요부의 위에 복수의 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 복수의 화합물 반도체층의 일부를 에칭하여 전극층 및 전극 중 적어도 하나를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 복수의 화합물 반도체층 위에 제2전극을 형성하는 단계와, 상기 기판과 반도체층을 분리하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 기판이 분리되어, 노출된 상기 반도체층의 표면에 대해 습식 공정을 진행하여 상기 반도체층의 요 구조에 형성되어 있는 상기 질화물 구조체를 제거하여 불규칙한 요철 구조를 형성하는 단계와, 상기 반도체층의 경계 부분을 따라 에칭하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 반도체층의 요철 구조 상에 제1전극 및 투명전극층 중 적어도 하나를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 습식 에칭은 PEC(photo-enhanced chemical etching)를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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